功率器件热设计基础(十四)----热成像仪测温度概述

英飞凌工业半导体 2025-09-12 17:00

摘要


资讯配图

功率半导体热设计是实现IGBT、SiC高功率密度设计的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识和测试的基本技能,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章已经比较系统地讲解热设计基础知识、相关标准和工程测量方法,本篇的话题是《使用热成像仪测温度的注意事项》


用热成像仪测温度,在电力电子系统设计和验证中,是一个简单有效的非接触式测温度的方法,非常受工程师的欢迎,但工程应用中的一些疑问和误区需要梳理一下。


你有没有想过,热成像仪为何能“看见”温度?


任何物质,只要温度高于绝对零度,都会根据其温度发射红外辐射,这种辐射由原子热运动产生,其波长由温度决定。为了衡量不同物体发射红外能量的能力,我们引入一个理想模型——“黑体”。它像一位完美发热的标杆,其发热只与温度相关,而现实中物体的“发射率”,则衡量了它模仿这位标杆的得分。黑体是满分1分的话,现实中的物体的发射率则在0~1之间。一些表面光亮或者抛光后的金属发射率较低,约为0.1,因它光滑如镜,偏爱反射而非辐射热量,实际的热量更易通过传导快速散失。许多非金属材料如木材、塑料或橡胶等表面相较粗糙,很少发生反射,辐射率也通常较高,能达到0.8~0.95。热成像仪正是捕获物体散发的红外辐射——再将其转换为可见的热图像,让我们直观感知世界的冷热。


简述红外测温原理


红外测温的核心原理是普朗克黑体辐射定律,通过检测物体自身向外辐射的红外线能量,并将这些辐射能量强弱转换为相应的电信号,仪器内的计算系统会根据这些电信号计算出物体表面的温度值,每一个像素点都会生成一个温度数据,并映射到特定的颜色,最终在屏幕上合成一副直观的热分布图像。这一方法无需与被测物体直接接触,属于“非接触式测温”技术,广泛应用于电力电子系统设计验证中,用于测量PCB板子温度,母排和熔断器温度,功率半导体温度,在《功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法》一文中讲述了用红外成像仪测功率半导体芯片温度的案例。


使用热成像仪时的注意事项


为了实现精确测量,使用热成像仪时需要注意如下几点:


01

距离与视野





热成像仪并非测量一个“点”,而是捕获一定范围内所有红外辐射的平均值,这就是距离(D)与视野(S)的原则的重要性。在使用热成像仪时,一定要关注空间分辨率这个参数,通常用IFOV(Instantaneous Field of View)表示,单位是毫弧度(mrad)。它告诉我们每个像素点代表了实际多大的面积,一般mrad值越小,说明空间分辨率越高,热成像仪看的越“精细”,而热成像仪的像素数量也即它的红外分辨率,数值决定了图像的清晰度,适用于大范围全景扫描的通常在300X300上下。同时,空间分辨率决定了测量距离D和最小可测目标尺寸S之间的关系,如下所示:


资讯配图


资讯配图

S: 测量目标的最小直径(m)

D:热成像仪距目标的距离(m)

IFOV: 热成像仪的空间分辨率(mrad,1 mrd=0.001 rad)


如果一台热成像仪的IFOV是1.5mrd,也即0.0015rad,那么当热成像仪距目标的距离为10m时,它能分辨出的最小目标尺寸是S=D*IFOV=0.015m,即1.5cm。因此,为了准确测量,应确保被测量的目标尺寸比热成像仪能测量的最小目标尺寸更大,至少2倍为宜。


02

环境条件





红外辐射在空气中传播时,并非畅通无阻,空气中的水蒸气、灰尘、烟雾等都会吸收和散射红外线,从而妨碍精确测温。在湿度、灰尘含量较高的场合下使用时,要注意红外辐射的衰减,探测远距离目标时可以配备长焦镜头来保证清晰度。若有异物颗粒落在热成像仪的镜头上,不要用纸张或者布擦拭,可能会刮坏镜片表面的增透膜镀层,建议用无水酒精蘸棉花轻微擦拭。


通常热成像仪可以使用的最低环境温度为-10℃,如果在这种环境温度下不做任何保护措施直接检测,可能会造成镜头花屏。而塑料袋具有高透射率和低吸收率,大部分的红外辐射会直接穿透塑料袋,对测量结果影响微弱,因此可以将热成像仪放在保温袋中,使用时候套进塑料袋里进行短时测试。


03

发射率





选择合适的发射率,是热成像仪使用中最核心、最基础也是最容易出错的概念之一。前面提到过,发射率衡量的是物体表面发射红外辐射的能力,其值介于0(完美镜面)~1(黑体)之间。有用过热成像仪测功率单元的工程师们都有这样的经验,测温的时候需要把表面涂黑,这样潜意识里已经有了个结论,深色物体发射率高,黑色物体可以接近0.95,热成像仪不需要做修正,其实这并不正确。那你想过没有医生用额温枪测你体温时,为什么没有用墨汁把你额头涂黑?难道物理学不存在了?其实医生也未必知道,你的额头发射率高达0.98,非常优秀的“黑体”。


资讯配图


从物理学的角度来看,发射率主要受材料类型、表面粗糙度和表面涂层等因素影响:


材料类型


这是最根本的因素。不同材料的分子结构,化学键和电子能级决定了它们吸收和辐射能量的固有能力。通常导体(如金属)具有低发射率,其表面的自由电子能非常有效地反射红外辐射,因此自身发射辐射的能力就较差,如下图中的抛光铝、黄铜镜面;绝缘体(非金属)则常具有高发射率,他们的分子结构更易吸收和发射红外辐射,如下图中的FR4、绝缘胶布;而半导体的发射率则介于二者之间,并可根据其掺杂程度而变化,如下图中的氧化铝。


资讯配图


表面粗糙度


对金属来说,这是一个很重要的影响因素。如果对金属表面做抛光,它会将大部分红外辐射反射掉,如上图中的抛光铝的发射率仅为0.09;而若是对金属表面做氧化或者喷砂,会让其表面变得粗糙,微小的凹凸不平形成了空腔效应,红外辐射在表面这些空腔中被多次反射和吸收,发射率也会相应提升,如上图中的轻度氧化铝,发射率在0.1~0.2之间。


表面涂层


任何改变表面的东西都会改变其发射率。化学层面,可以表面氧化,生锈的铁的发射率约0.6,而抛光的铁则为0.05。物理层面较为简单,可以选择在物体表面喷漆或者贴绝缘胶带,都可以将发射率提升到0.9以上。


通常喷漆法适用于较小目标,如芯片表面、管脚等,且应尽量保证漆面均匀,薄但要覆盖住目标表面。一般胶带法适用于较大目标,如散热模块,金属表面等,且一般胶带只能耐温100℃,若检测高温建议使用高温胶带。贴胶带时应保证与被测目标表面紧密接触,没有气泡或者褶皱。无论是喷漆还是胶带法,都要预留至少5分钟的时间来保证其和被测目标充分达到热平衡的状态。


但是要注意的是,喷漆法和贴胶带法可能会影响金属表面的散热,改变原有金属表面的温度,且喷漆后不方便擦拭,胶带法也不适用于一些不规则的物体。这个时候还可以使用导热硅脂法,选用合适导热系数的导热硅脂,既可以真实反映金属表面的温度状况,又具有较高发射率(上图中为例,发射率约为0.95),使用后还可轻松擦拭。


注:上述三种方法摘自《福禄克热像仪常见问答口袋书》2024年版。


功率半导体芯片表面温度的测量


JEDEC出版物JEP138 User guidelines for IR thermal imaging determination of die temperature,这种方法主要用于电力电子系统定型设计,对散热系统进行定标,参考《功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》


红外相机测温需要做发射率矫正,模块需要去胶,涂黑,JEP138建议了黑色涂层厚度控制在25-50um,涂层表面的发射率大于0.95。注意,哪怕按照JEP138建议,也会改变芯片的热特性,均匀的高发射率层可将峰值结温降低多达2%(°K)。


结论


热成像仪测温度是一项实践性很强的工作,是一项综合考虑测量条件的技术活,它能将不可见的红外辐射转化为直观的热图像,成为故障诊断、系统检测的好帮手。获得准确温度也并非简单按下快门,若想提升测量精度就必须理解影响其精度的关键因素。无论是调整合适的测量距离、干燥整洁的测试环境还是为测试目标设定合适的发射率,都会帮助提升测量结果的准确性。建议参考《福禄克热像仪常见问答口袋书》2024年版,口袋书中整理了40个常见问答,另外,JEP138全文有11页,全文也可以在JEDEC下载。


资讯配图

最后,送一个科普彩蛋:

《实验 | 我们的城市为什么越来越热?》

资讯配图


系列文章


1.《功率器件的热设计基础(一)---功率半导体的热阻》

2.《功率器件的热设计基础(二)---热阻的串联和并联》

3.《功率器件热设计基础(三)----功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》

4.《功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法》

5.《功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容》

6.《功率器件热设计基础(六)——瞬态热测量》

7.《功率器件热设计基础(七)——热等效模型》

8.《功率器件热设计基础(八)——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

9.《功率器件热设计基础(九)——功率半导体模块的热扩散》

10.《功率器件热设计基础(十)——功率半导体器件的结构函数》

11.《功率器件热设计基础(十一)——功率半导体器件的功率端子》

12.《功率器件热设计基础(十二)——功率半导体器件的PCB设计》

13.《功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息》


资讯配图

更多精彩内容请关注2025PCIM

资讯配图

声明:内容取材于网络,仅代表作者观点,如有内容违规问题,请联系处理。 
功率 测温
more
《计测技术》推荐文章|北京航空航天大学马宏伟教授:涡轮叶片辐射测温技术应用进展
别看它小!拆解一款老测温仪:从18650电池保护到预留蓝牙,细节太“抗打”
引领科技前沿,塑造卓越品质——半导体晶圆测温产品、去胶机设备与退火炉RTP设备
功率器件热设计基础(十四)----热成像仪测温度概述
引领科技前沿,塑造卓越品质——半导体晶圆测温产品、去胶机设备与退火炉RTP设备
电阻测温电路中检测电阻阻值的方法
Copyright © 2025 成都区角科技有限公司
蜀ICP备2025143415号-1
  
川公网安备51015602001305号