【内容目录】
2、各工艺步骤中的性能目标、主要挑战
3、湾芯展化合物半导体论坛-SiC主题嘉宾介绍
作为第三代半导体的核心，SiC全工艺流程复杂，技术门槛高。当前SiC产业，产能扩张减缓，价格战白热化，竞争加剧，整个产业正面临严峻的成本挑战，亟需全产业链协同创新。本文先简单介绍SiC全工艺流程及主要挑战，再对产业论坛嘉宾进行简要介绍。
SiC全工艺流程简介
SiC全工艺流程图
图片来源：泰科天润应用测试中心主任，高远，会议报告
如上图所示，SiC全工艺流程可简述为：原材料通过单晶生长技术成为具有特定直径尺寸的晶锭，再经机械加工得到厚度可控的衬底；在衬底上做外延生长，得到高性能的外延层，用于后续的器件制备；器件经封装+测试后，进入应用系统。
各工艺步骤中的性能目标、主要挑战
为了加深业内同行的交流，以应对SiC的技术和成本挑战，在湾芯展化合物半导体论坛中，我们邀请了SiC业界内重磅嘉宾，针对行业挑战进行深入探讨，以促进产业链协同创新。
湾芯展化合物半导体论坛-SiC主题嘉宾介绍
李斌
山西烁科晶体CEO
特色技术：12英寸半绝缘SiC衬底，全套技术整合
报告主题：大尺寸SiC发展思考
嘉宾介绍：李斌，山西烁科晶体CEO，“三晋英才”，团队“国家科技进步一等奖”
朱灿
天岳先进研发总监
特色技术：全尺寸SiC衬底产品、液相法SiC生长技术
报告主题：液相法p型碳化硅衬底在电网高压领域的应用和制备进展
嘉宾介绍：朱灿，山东天岳先进研发总监，国家级青年人才，2021世界首次液相法制备6英寸SiC单晶。
丁雄杰
天域半导体研发副总监
特色技术：国内首家SiC外延片供应商，车规级质量体系认证
报告主题：SiC外延技术进展及发展趋势
嘉宾介绍：丁雄杰，天域半导体研发副总监，全国半导体材料标委会委员，广东省第三代半导体SiC外延材料工程研究中心主任。
杨霏
国家电网-中国电力科学研究院
特色技术：超高压SiC器件及在电力系统中的应用
报告主题：高压碳化硅MOSFET器件研发进展
嘉宾介绍：杨霏，教授级高级工程师，中关村高端领军人才。主持建成了国内第一条10kV级高压碳化硅芯片生产线，研制了1.2kV、3.3kV、6.5kV系列碳化硅器件并实现智能电网电力电子装备工程应用。
陈媛
工信部五所
特色技术：SiC MOSFET在不同恶劣工况下的可靠性和坚固性的评估，包括非箝位电感开关应力(UIS)，短路应力(SC)，功率循环(PC)，动态栅偏应力(DGB)、动态反偏应力（DRB）下的可靠性。
报告主题：SiC MOSFET可靠性评估挑战与失效机理
嘉宾介绍：陈媛，工信部电子五所学术首席。国家高层次人才，获省部级科技进步二等奖3项，IEC/TC47/WG8国际电工委员会宽禁带技术工作组国际委员，中汽协标委会汽车芯片专委会副秘书长。
芯启未来，智创生态
