图片来源：SEMICON人工智能（AI）浪潮兴起，推动高带宽内存（HBM）重要性日益提升，HBM 已成为 AI 系统架构的核心组件。三大存储厂商将先进存储技术视为核心战场，其中定制化 HBM 更是成为关键战略焦点。SK 海力士（SK Hynix）不仅凭借率先量产并出货 HBM4 占据行业领先地位，还正从 JEDEC（固态技术协会）标准产品向 “为每位客户提供定制化 HBM 解决方案” 转型；三星电子（Samsung Electronics）则透露，正与客户合作开发定制化 HBM4E 产品。与此同时，美光（Micron）表示，其 1-beta 和 1-gamma 节点 DRAM（动态随机存取存储器）已实现大规模量产，1-delta 节点良率目前正持续提升。随着平面 DRAM 不断微缩，3D DRAM（三维动态随机存取存储器）研发将同步推进；在 3D DRAM 最终取代平面 DRAM 以延续存储微缩进程前，两种技术将长期共存。存储巨头秀出技术实力在 2025 年台湾半导体展上，SK 海力士、三星、美光的高管首次同台亮相，展示各自技术实力，分享 AI 时代存储行业转型趋势与市场展望。他们在演讲中还强调了中国台湾半导体生态的关键作用，并表达了与台湾产业持续深化合作的意愿。中国台湾本土企业也积极参与其中：华邦电子（Winbond）董事长陈沛铭介绍了 CUBE 内存在 “高带宽、低功耗”AI 边缘应用中的潜力；旺宏电子（MXIC）新兴研发部门负责人王克仲则分享了定制化内存领域的创新成果，以满足多样化 AI 应用需求。三大存储巨头角逐HBM 市场主导权SK 海力士副总裁兼 HBM 业务规划部门负责人 Jeff Choi 表示，公司正将自身定位从 “传统存储供应商” 重新定义为 “全栈存储平台提供商”。到 2030 年，数据中心耗电量预计将增长 3 至 6 倍，其中 AI 工作负载占比将高达 65%。SK 海力士自豪地宣称，自身是行业内首家出货 HBM4 样品的企业。除了在带宽、能效及热管理方面进行升级，公司计划不仅提供 JEDEC 标准 HBM 产品，还将为核心客户定制专属 HBM 方案。在单台 AI 加速器中，HBM 的功耗占比已从约 12% 升至下一代系统的 18% 甚至更高。HBM 的能效不再是次要考量，而是成为影响成本、扩展性与可持续性的 “系统级优先事项”。HBM 功耗降低 10%，可使全球数据中心能效提升 2% 以上；若降低 50%，某些计算场景所需的数据中心数量或可从 10 个减少至 6 个。Jeff Choi 指出，“高容量、高带宽、低功耗” 是未来 HBM 的硬性要求，只有三者结合，才能全面满足 AI 需求。存储将不再局限于被动的数据存储功能，而是会融入计算能力，成为更智能的 “智能内存堆叠（intelligent memory stacks）”。他还提到，中国台湾拥有从晶圆制造、封装测试到系统组装的完整成熟半导体供应链与系统集成能力，具备横向整合优势。这使得中国台湾不仅是存储行业的重要合作伙伴，更是全球 AI 基础设施的核心枢纽。SK 海力士计划与中国台湾产业深度合作，推动 AI 存储与基础设施发展。三星公布定制化战略三星存储产品规划副总裁 Jangseok Choi 在演讲开篇，展示了一张通过 AI 代理将台北 101 转化为梵高画作风格的图片，以此说明 AI 正如何重塑世界。三星强调了自身的独特优势—— 是业内唯一一家涵盖存储、设计、晶圆代工及先进封装领域的企业。公司透露，计划从 HBM4E 开始，投入定制化 HBM 研发，并已与中国台湾生态中的部分客户展开合作。这一举措反映出，标准存储产品已无法满足多样化应用场景需求，而定制化 HBM 可根据具体需求调整性能、成本、能效及供电方式。此外，三星将从传统“热压键合（thermal compression bonding）” 技术转向 “混合铜键合（hybrid copper bonding）” 技术。传统技术会在芯片层间留下间隙，限制堆叠高度且散热效果较差；而新技术可实现 “铜 - 铜直接连接” 的无缝芯片贴合。美光聚焦整合与创新美光公司副总裁 Nirmal Ramaswamy 将 HBM 称为 “AI 革命的核心”，认为 HBM 虽能加速 AI 工作负载，但需通过颠覆性制程创新、重大设计突破及先进封装架构，才能在提升带宽密度与能效的同时，降低单位比特功耗。HBM 核心技术包含三大优化方向：第一，优化 DRAM 芯片，提升能效、带宽与性能；第二，优化基底芯片，实现定制化、GPU 卸载、先进芯片间互联及混合铜键合；第三，优化封装技术，达成带宽与热管理目标。最终目标是实现“存储与计算功能整合”，构建高带宽、低功耗系统。美光的 DRAM 技术路线图显示：1-beta 和 1-gamma 节点已量产，1-delta 节点正提升良率，1-epsilon 节点研发持续推进。其 3D DRAM 概念借鉴 3D NAND 技术，通过垂直堆叠电容器与 CMOS，突破平面 DRAM 的性能局限。3D DRAM 技术面临的挑战包括：晶圆翘曲与堆叠精度、高纵横比蚀刻与电容器结构、接触电阻、材料及结晶控制。尽管平面 DRAM 与 3D DRAM 将并行发展，但长期来看，3D DRAM 有望结合新材料、晶体管架构及潜在新兴存储技术，成为主流。原文标题：SEMICON Taiwan 2025: Memory giants compete in customized HBM race amid AI surge原文媒体：digitimes asia芯启未来，智创生态湾芯展2025与您相约！
