存储芯片，即将疯涨？

有分析预计，明年通用DRAM和NAND Flash将出现供应不足，从而带动价格上涨。这是因为三星电子、SK海力士、美光等企业正集中扩大高带宽存储器（HBM）的产能，以应对人工智能（AI）产业的快速增长需求。同时，NAND Flash方面，随着AI数据中心对固态硬盘（SSD）的更换需求增加，供应也难以跟上需求。

据业界16日消息，尽管内存半导体企业正在扩充产能，但预计明年的供应仍无法满足快速增长的市场需求。IM证券预计，与今年相比，明年DRAM产能（Capex）增幅为13.5%，NAND Flash为13.9%；而同期需求增幅则分别达到13.7%和14%。未来资产证券则认为，DRAM和NAND Flash的需求明年将分别增长12%和18%，但产能增幅仅为6.5%和0.6%。

有分析指出，三星电子、SK海力士、美光等公司产能扩张主要集中在HBM，是造成通用DRAM供应紧张的原因。虽然DRAM生产线有扩建，但预计相当部分将用于HBM生产。KB证券研究员金东元表示：“通用DRAM的需求，尤其是在服务器领域，已超出预期，但目前三大DRAM厂商只专注于HBM产能扩张，除工艺转换外，并未考虑新的扩产。因此通用DRAM的供应将趋紧，明年DRAM市场可能出现短缺。”

NAND Flash的情况也类似。AI数据中心对存储的需求激增，推动了HDD向SSD的替换。由于HDD供应趋紧，性能更优的SSD替换需求进一步扩大。过去AI数据中心多采用HDD作为主流存储，但随着AI技术的加速发展，云计算企业对读写速度更快的NAND Flash SSD需求日益增加。

SK证券研究员韩东熙指出：“HDD市场已重组为由希捷和西部数据主导的供应格局，考虑到与客户的长期供货合同，短期内供应条件难以发生变化。”

未来资产证券研究员金永健表示：“受制于内存半导体厂商有限的供应能力，预计明年存储芯片价格将会上涨。通用内存需求存在不确定性，导致扩产受限，而现有的新增产能又集中在HBM。”

近期，部分企业已出现涨价迹象。据悉，NAND Flash厂商闪迪（SanDisk）本月初已通知客户将产品价格上调10%；美光也停止了向客户提供价格报价，并通知部分通用DRAM（如DDR5）产品涨价幅度超过20%。一位半导体行业人士表示：“随着高利润的HBM供应持续，通用存储芯片的涨价趋势也逐渐显现。”

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