主要参与者正在采取行动：例如，尽管几个月前刚刚申请破产， Wolfspeed已推出其 200 毫米碳化硅材料产品组合。与此同时，据ZDNet报道，三星正表示将更加重视 8 英寸碳化硅 (SiC) 的研发。以下是最新行业动态的概览。
据Compound Semiconductor报道，Wolfspeed已于上周正式推出其200毫米（8英寸）SiC材料产品，这是该公司推动行业从硅向碳化硅转变的关键里程碑。
据该公司介绍，目前已提供可立即进行认证的200毫米SiC外延片。Wolfspeed指出，与其200毫米裸晶圆搭配使用，这一组合可提高可扩展性和材料质量，帮助器件制造商提高MOSFET良率，加快产品上市时间，并为汽车、可再生能源和工业市场提供更强大的解决方案。
随着中国6英寸SiC晶圆产能的快速扩张，向8英寸SiC晶圆的转变似乎不可避免。据IT Home报道，中国最大的SiC晶圆工厂位于武汉，已正式投产，目标是满足国内30%的产量。据报道，该工厂一期将专注于功率器件，目标是年产36万片6英寸晶圆。
TrendForce数据显示，到2024年，Wolfspeed将以34%的份额领先全球SiC基板市场，但中国竞争对手TankeBlue和SICC正在迎头赶上，分别占据17%的份额。
与此同时，一个新的竞争者可能正在崛起。ZDNet报道称，9月15日，三星副总裁兼碳化硅 (CSS) 业务团队负责人洪锡俊 (Hong Seok-jun) 表示，公司正专注于8英寸碳化硅 (SiC) 功率半导体的研发。尽管尚未公布商业化时间表，但他指出，公司正在努力“尽快”实现碳化硅 (SiC) 功率半导体的商业化。
ZDNet强调，碳化硅 (SiC) 的性能优于传统硅，具有更高的耐热性和耐压性以及更高的功率效率，从而推动了电动汽车和能源领域的强劲需求。报告还指出，碳化硅在人工智能领域的作用也在不断扩大，而海量数据处理是该领域的关键。
据ZDNet报道，三星在其2023年底新成立的CSS业务团队的领导下，一直在开发8英寸SiC功率半导体。虽然6英寸晶圆仍然是行业标准，但8英寸晶圆的采用率正在稳步上升。
然而，该报告援引的行业观察人士警告称，三星全面进入碳化硅市场仍存在不确定性，因为其现有技术尚不具备竞争力，而且该公司正优先发展其8英寸氮化镓(GaN)代工厂。尽管该氮化镓代工厂最初预计将于今年投产，但据ZDNet报道，消息人士表示，2026年之前不太可能实现商业化。
来源：ZDNet
