存储器半导体市场正在经历一场结构性变革。三星电子（005930）和SK海力士（000660）同步上调其旗舰存储器产品（包括DRAM和NAND闪存）的价格，标志着长期衰退的结束。随着人工智能（AI）市场的扩张和需求激增引发的供应链重组，业内越来越预期新的“超级周期”即将到来。
据业内人士9月22日透露，三星电子目前正在与主要客户就第四季度DRAM和NAND闪存的价格进行谈判。据外媒报道，三星电子已通知部分客户，将在第四季度将DRAM产品价格最高上调30%，将NAND闪存价格最高上调10%。SK海力士也尚未正式宣布涨价，但据报道，该公司正在根据市场情况调整涨价策略与客户进行谈判。两大内存巨头同步涨价，分析师认为市场已完全转向供应商主导的格局。
此次涨价的根本原因在于人工智能时代带来的内存市场结构性变化。其中，关键驱动力无疑是高带宽内存（HBM）。作为人工智能半导体核心的HBM，其盈利能力远高于标准DRAM。三星电子、SK海力士和美光三大全球内存厂商，正将其有限的晶圆产能（CAPA）优先用于HBM生产。HBM芯片的尺寸是标准DRAM的两到三倍，导致单片晶圆的产量显著减少。最终，随着HBM生产比例的增加，用于PC、移动设备和通用服务器的通用DRAM的供应将不可避免地减少。
在供应紧缩的同时，需求却以超出预期的速度增长。其中，最强劲的需求来源无疑是人工智能数据中心。 AI 模型训练和推理需要快速处理海量数据，高性能 DRAM 和大容量企业级固态硬盘 (eSSD) 至关重要。市场研究公司 TechInsights 预测，每台 AI 服务器的 DRAM 容量将增长 2.5 倍以上，从 2024 年的平均 1 TB 增长到 2030 年的 2.5 TB。
需求增长的动力来自于通用服务器市场的更新换代需求。2017 年至 2018 年期间，全球数据中心服务器在上一个超级周期中大规模建设，目前正进入四到五年的更新换代周期。随着企业恢复对通用服务器的投资（此前由于 AI 热潮而暂时停滞），通用 DRAM 的需求正在快速增长。全球投行摩根士丹利在一份报告中分析称：“AI 相关需求正在刺激通用服务器和移动 DRAM 的需求，从而推高价格。”
NAND 闪存市场正经历着与 DRAM 类似的趋势。用于替代或补充现有硬盘驱动器 (HDD) 以用于 AI 数据处理的 eSSD 需求激增，导致 NAND 供应短缺迫在眉睫。摩根士丹利预测，仅美国大型数据中心运营商（超大规模数据中心运营商）今年对大容量 eSSD 的新订单就可能超过整个 eSSD 市场，并且 NAND 市场将在 2026 年出现供应短缺。
这些市场变化提高了人们对即将发布的企业财报的预期。业界关注的焦点是美光公司定于9月23 日（当地时间）发布的财报。美光公司未来的 HBM 市场前景和定价政策对三星电子和 SK 海力士的战略规划至关重要。华尔街预计美光公司第四季度营收将同比增长 43%。
三星电子和 SK 海力士计划分别于 10 月 13 日和 20 日当周公布第三季度财报。随着HBM销售额的充分体现以及商用内存价格跌势的停止，两家公司的盈利预计将大幅提升。一位业内人士预测：“供应结构性受限，而人工智能和通用服务器的需求都在增长。” 他们补充道：“内存价格将暂时持续上涨，这将显著提升企业的盈利能力。”
