三星HBM3E通过英伟达标准认证？或进入下一代HBM4市场

据韩国半导体业内人士透露，三星第五代12层高带宽存储器HBM3E产品终于通过NVIDIA（英伟达）质量认证测试，预计不久后开始供应高阶存储器芯片，并有望打入下一代HBM4竞争链。

全球高效能运算市场需求快速扩增，特别是随生成式AI模型、超级计算机、数位孪生技术（digital twin）催化，市场对HBM这类高带宽、低延迟存储器需求也上升。

其中HBM3E DRAM是解决AI算力瓶颈的关键存储器技术，凭借超过1 TB/s的总线速度，成为NVIDIA、AMD、Intel新一代AI芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必备元件，没有HBM3E，这些芯片的算力就无法完全释放。

三星作为全球3家主要存储器制造商之一，过去在HBM竞争中却相对落后，SK海力士去年9月率先开始量产HBM3E 12层芯片，其次为美光在今年第一季通过英伟达认证。三星虽然已向超威出货HBM3E 12层芯片，但从去年2月向英伟达提供首批HBM3E 12层芯片样品后，一直未能满足英伟达严格的性能要求。

近日，韩国多家媒体引述业内人士消息透露，三星终于正式通过英伟达HBM3E 12层芯片质量认证测试，将成第三家向英伟达提供HBM3E 12层产品的公司。

通过英伟达认证主要代表三星已结束长期卡关局面，并拿到下一代高带宽存储器“入场券”，缩小与SK海力士、美光在第六代高带宽存储器HBM4竞争的差距。

HBM4预计在英伟达新一代图形架构Vera Rubin首度亮相，英伟达要求供应商将HBM4数据传输速度提升至每秒10 Gbps以上，消息人士透露三星已展示11 Gbps传输速度；三星打算本月向英伟达大量出货HBM4样品，盼早日获得英伟达认证。（文章来源：科技新报）