三星HBM3E,通过英伟达认证

半导体芯闻 2025-09-19 18:36
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来源:内容编译自chosun。

据报道,三星电子的12层HBM3E产品(第五代高带宽存储器,HBM)已通过NVIDIA的质量测试。据半导体业界消息,三星电子近日通过了NVIDIA的12层HBM3E质量测试,并即将开始出货。自去年2月成功研发该产品以来,约19个月过去了。尽管三星已向美国半导体设计公司AMD和博通供应HBM3E,但该产品曾多次未能通过NVIDIA的质量测试。三星电子相关人士表示:“我们正在按照客户NVIDIA的进度进行。”


HBM 是一种用于人工智能 (AI) 芯片的存储半导体。该产品通过堆叠多层 DRAM 层而形成,可实现高速数据处理。其主要客户包括 NVIDIA 等高性能 AI 半导体公司。目前,SK 海力士 (SK Hynix) 为 NVIDIA 提供 75% 的 HBM3E 内存。继 SK 海力士和美光之后,三星电子将成为 NVIDIA 的第三大 HBM3E 供应商。


尽管三星电子对NVIDIA的供货量不大,但分析师认为,此前因HBM3E质量测试屡屡失败而饱受技术落后批评的三星电子,如今已步入稳定轨道。外界期待该公司在下一个战场——第六代HBM4——展现竞争力。一位科技界人士表示:“从NVIDIA的角度来看,依赖单一HBM供应商存在风险”,并补充道:“三星在HBM3E上已经在一定程度上证明了其技术实力,因此在HBM4上也有望展现竞争力。”


参考链接

https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/09/19/ZOTG73PV2BBY5K4C42QBJ7FLHM/

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