外媒报导，本月初，存储器大厂美光（Micron） 宣布正在交货全球首款采用 10 奈米级 1γ 制程技术的 LPDDR5X 存储器产品。这属于第六代 10 奈米级 1γ（1-gamma） DRAM 存储器产品，是美光首款采用 EUV 微影曝光技术打造的行动解决方案，进一步获得了业界领先的容量密度优势。

对此，美光还利用包括下一代高K 金属栅极技术在内的 CMOS 技术，提升了晶体管性能，达到了更高的速率、更优化的设计，以及更小的芯片尺寸，为 1γ DRAM 节点制成技术带来功耗降低和性能扩展的双重优势。在此情况下，美光也进一步公布了采用 1γ 节点制成技术生产的 LPDDR5X 存储器情况。

根据TomsHardware 的报导，日前美光总裁兼执行长 Sanjay Mehrotra 在 2025 年第三季财报会议上，介绍了采用 1γ 节点制程技术的 LPDDR5X 存储器情况，表示新产品性能非常出色，在良率的提升速度超过了第五代 10 奈米级 1β（1-beta）DRAM 节点制程技术的记录之后，预计本季内将完成几个关键的产品里程碑。

按照美光的说法，相较于1β DRAM 节点制程技术生产的产品，新一代 1γ DRAM 节点制程的产品有望将 DRAM 功耗降低 20%，同时性能提升 15%，另外位元密度提高 30%，带来了非常显著的性能提升。一旦 1γ DRAM 节点制程技术的产品良率达到 1β 相近的水平，转化到生产上，预计将能进一步的大幅降低生产成本。

除了LPDDR5X 以外，美光在更早之前还将 1γ DRAM 节点制程技术用于 DDR5。Sanjay Mehrotra 强调，美光将在整个 DRAM 产品线中导入 1γ DRAM 节点制程技术，未来还会用于 GDDR7 和针对资料中心的产品来使用。

值得注意的是，近期韩国媒体报导，三星电子行动（MX) 事业部 Galaxy S25 系列手机采美光 LPDDR5X DRAM 比例将高于自家半导体 （DS） 事业部，美光 60%，三星 DS 事业部 40%，与市场预估 DS 事业部取得多数订单相悖，显示三星供应链策略大调整，也代表着美光在技术的进步已经获得市场的肯定。

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