存储“超级周期”，报价暂停、价格飞涨！

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）受益于AI浪潮带动存储行业的需求激增，叠加大厂转产HBM缩减DRAM产能引发的供应短缺等状况，近日，无论是HBM大厂还是利基存储、存储模组等厂商陆续又开始涨价或是暂停报价。SK海力士、三星电子等诸多厂商的业绩也是屡创新高。多家机构预测存储涨价形势将延续到第四季度甚至明年。

涨价形势

据韩媒报道，三星电子近日通知主要客户，将在第四季度上调产品合约交易（大宗）价格，其中DRAM上涨15%-30%，NAND上涨5%-10%。据央视财经报道，同样有观测认为，SK海力士近期也将加入涨价行列。

9月初，SanDisk已宣布将NAND Flash报价上调10%。美光也通知客户，对包括DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等内存产品全部停止报价，且相关产品价格可能调涨20%-30%。

近日，威刚、十铨暂停报价，这是存储器模组业2017年以来首次出现厂商暂停报价，意味市场严重供不应求，业界认为暂停报价或进一步推高价格。

威刚董事长陈立白证实，公司这波暂停报价措施将延续至10月中旬，主要考量DRAM货源严重不足，因此要管控库存和调整配售方式。陈立白表示，第四季度是存储器大多头的起点，也是严重缺货的开始，2026年产业荣景可期。

针对涨价，多家国内存储厂商也给出了判断。北京君正认为，按照市场一些观点，涨价周期可能会持续到明年。目前消费市场更加明显，行业市场情况稍微复杂一些，很多是长期合作的客户，对于长期合作的大客户，要综合考虑很多因素。总体上我们会参考市场情况进行一些价格策略的调整。目前DRAM产能能够满足需求，之前也有一些备货，包括新制程的产品也提前下了一部分生产采购订单。目前满足供应需求是可控的。

普冉股份表示，晶圆厂产能目前处于持续紧张的状态，但目前公司与其双方协商的价格依然处于比较稳定的水平。未来是否影响成本价格要根据市场具体的供需关系去判断和谈判博弈。公司和各晶圆厂保持紧密合作，以保障公司相应产能，同时公司目前有充足库存保障，对应具备一定性价比的wafer、半成品及成品等，可以确保公司后续规模的持续增长。

CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出，预计四季度，服务器eSSD涨幅将达到10%以上，DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%；Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%，LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%；PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%~15%，cSSD价格涨幅达5%~10%。

AI基建将存储带入超级周期

分析认为，随着人工智能投资大幅增加，AI服务器带动存储用半导体需求爆发式增长，预计未来2-3年内存储半导体将进入价格稳步上涨的“超级周期”。

AI服务器对存储芯片的需求呈现数量级增长。单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8倍，NAND用量则是传统服务器的3倍。这种需求暴涨直接导致了市场供需失衡。

特别是HBM产品需求出现指数级增长。摩根士丹利预计，全球HBM市场规模将从2023年的30亿美元增至2027年的530亿美元。

花旗分析指出，HBM的毛利率约在50%到60%，而传统的DRAM仅为30%左右。据央视财经报道，HBM的订货模式也发生根本性变化。现在每一块HBM芯片都需针对特定的AI GPU定制，客户需要提前一年下单，合同通常为一年期。这与传统DRAM芯片形成鲜明对比，后者可以随时采购，甚至当天交付，并且容易更换供应商。

生成式AI热潮导致高容量、高速芯片的需求激增，存储芯片的两大龙头企业三星电子和SK海力士正接获大量订单。

日前，三星电子和SK海力士分别与OpenAI签署协议，宣布作为核心合作伙伴，参与全球人工智能基础设施项目Stargate。该项目旨在到 2029 年在全球构建超大规模人工智能数据中心网络。根据协议，三星和SK海力士为OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM，其需求量相当于每月90万片晶圆。这一需求预测是目前全球HBM产能的两倍多。分析称，这笔订单将在未来四年为韩国芯片制造商带来超过100万亿韩元（约合705亿美元）的增量需求。

目前，SK海力士已建成HBM4量产体系，三星电子也在为HBM4量产做准备。

涨价预期之下，国内存储厂商动态

江波龙

江波龙在自有核心知识产权、技术能力的基础上，企业级存储产品已获得多个不同行业头部客户的广泛认可。根据 IDC 数据，2024 年中国企业级 SATA SSD 总容量排名中，公司位列第三，在国产品牌中位列第一，同时，公司企业级PCIe SSD 与 RDIMM 产品已开始批量导入国内头部企业。江波龙积极布局数据中心应用领域的高性能存储产品，拓展 CXL2.0、MRDIMM 等多种新型内存，并正式发布SOCAMM2。SOCAMM2 是专为 AI 数据中心设计的内存产品，在带宽、功耗上具有突破性的能效表现，能够全面突破传统RDIMM 的性能瓶颈及高温痛点。

全球目前仅少数企业具备在芯片层面开发UFS4.1产品的能力，江波龙凭借自研主控芯片成功实现UFS4.1 产品的突破。经原厂及第三方测试验证，搭载公司自研主控的UFS4.1 产品在制程、读写速度以及稳定性上优于市场可比产品，在获得以闪迪代表的存储原厂认可的基础上，还获得多家 Tier1 大客户的认可，相关导入工作正加速进行。UFS4.1 作为当前嵌入式存储领域的高端产品，是Tier1 大客户旗舰机型的主流存储配置，伴随嵌入式存储市场由eMMC向 UFS 加速演进，整体市场高度集中且具备广阔空间。

目前江波龙各系列主控芯片采用领先于主流主控芯片的头部 Foundry 工艺，采用自研核心IP，搭配公司自研固件算法，使得公司各类存储产品具有明显的性能和功耗优势。

截止至 7 月底，江波龙主控芯片全系列产品累计实现超过8000 万颗的批量部署，并且部署规模仍在保持快速增长。搭载自研主控的 UFS4.1 产品正处于多家Tier1 厂商的导入验证阶段，全年来看，自研主控芯片部署规模将实现放量增长。

北京君正

今年上半年北京君正计算芯片增长15.59%，存储芯片增长5.20%，模拟与互联增长 5.02%。下半年从市场发展趋势上，预计汽车工业仍然保持缓慢复苏的态势，消费电子市场需求影响因素较多，比如由于国补方面的变化。

北京君正的计算业务有两块业务，一块是智能安防，包括网络摄像头、门铃等产品，在智能穿戴等泛视频领域也有一些应用；另一块是嵌入式 MPU 芯片所面向的智能 IOT 领域，包括二维码设备、打印机、扫地机等。目前发展趋势良好，比如在打印机领域，可以应用在多类打印机产品中，如激光、喷墨、3D等，不断有更多客户拓展进来。

目前北京君正已有的NPU是一个多 T，预计明年中会投带有4T算力的 IPC 产品，更大算力的NPU模块也将继续研发。AI MCU今年中已经投了一版MPW。

北京君正的LPDDR4于几年前量产销售，有不少客户采用，但由于之前产品是25nm，成本较高，影响了产品的性价比竞争力，从去年到今年，公司20nm、18nm、16nm 的产品陆续送样，更具性价比优势的产品开始陆续向客户推广，同时产品容量也在提升，4G、8G、16G、32G 的 LPDDR4 产品将逐渐到位，预计明年开始LPDDR4 产品的销售占比会逐渐增加。

汽车市场方面，NOR FLASH大容量的产品增速优于DRAM。LPDDR5目前在规划中。3D DRAM 尚在研发中，对标市场和友商类似，不会只是面向汽车市场。

普冉股份

普冉股份表示，公司存储类车载产品完成 AEC-Q100 Grade1 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比持续提升；同时公司持续推进 EEPROM 产品全系列的车规认证。

普冉中小容量 SONOS NOR Flash 车载产品已陆续完成 AECQ100 认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。同时，公司全容量 ETOX NOR Flash 系列产品通过 AEC-Q100车规认证，为公司在汽车电子领域的进一步发展奠定了坚实的基础，打开了更加广阔的市场空间。

普冉股份筹划收购珠海诺亚长天存储控股权，对于本次收购，普冉表示，主要是为了增强公司在存储器芯片领域的核心竞争力，进一步丰富产品线。珠海诺亚长天存储技术有限公司持有SkyHigh Memory Limited（SHM）100%的股权。SHM 专注于提供中高端应用的高性能 2D NAND 及衍生存储器（SLC NAND，eMMC，MCP）产品及方案，其产品与普冉股份现有的 NOR Flash、EEPROM、MCU等产品形成互补，可完善公司非易失性存储产品布局。同时，SHM在全球建立了较为成熟的销售网络，与公司主要来源于中国市场的销售渠道形成互补，有助于公司拓展全球市场。此外，双方在设计及产品工程能力方面也能相互补充，产生良好的业务协同效应。

普冉坚持存储和“存储+”并行战略，一方面巩固 NOR Flash和 EEPROM 在现有市场的优势，拓展工业、车规等增量市场；另一方面大力发展 MCU 和模拟产品。此次收购与发展战略高度契合，收购完成后，纳入新的 2D NAND 及衍生存储器产品，进一步丰富“存储+” 战略下的产品矩阵，完善非易失性存储产品布局，增强在存储器芯片领域的核心竞争力，助力公司在全球存储市场取得更有利的竞争地位。

小结

摩根士丹利预测，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。该机构还预计，今年第四季度DRAM的价格将环比上涨约9%。

另外据SEMI最新报告称，存储领域未来3年设备支出总额将达1360 亿美元，标志着该细分领域开启新一轮增长周期。预计2026 -2028 年，DRAM 相关设备投资将超过 790 亿美元，3D NAND 投资将达到 560 亿美元。

2025年4月以来，随着三星、SK海力士、美光等头部厂商相继将产能转向高加值存储，存储产品的供应已经发生结构性变化。一方面是AI基建大量需要高端存储如HBM，另一方面端侧AI的爆发也在刺激各类规格存储的需求（相关内容可阅览笔者多篇端侧AI存储的报道以及报告等）。这无疑在造就存储行业如今的高景气度行情。

存储“超级周期”，报价暂停、价格飞涨！图1