射频前端（RFFE）市场正经历稳步增长，在2024至2030年间，移动和消费电子领域仍是最大市场。据Yole发布的《2025年射频行业现状报告》显示，RFFE市场规模预计将从2025年的513亿美元增长至2030年的697亿美元，复合年增长率（CAGR）达4.5%。
其他诸如电信与基础设施、汽车、工业与医疗等领域也呈现出不同程度的增长潜力。其中，电信与基础设施领域的RFFE市场预计到2030年可达45亿美元，汽车领域为40亿美元，工业与医疗领域接近20亿美元，这些数据均显示出了RFFE市场的广阔前景。
“随着5G-Advanced技术的推进，新频谱（如n104频段）的启用成为关键特征，而中国将成为6G技术广泛采用的前沿阵地。”——在9月26日上海浦东香格里拉大酒店举办的国际RF-SOI论坛上，武汉新芯集成电路股份有限公司（以下简称“新芯股份”）市场总监郭晓超在题为《用射频SOI增强下一代通信：新芯股份的专注与愿景》的演讲中，深入剖析了RFFE市场的发展趋势，并展示了新芯股份在该领域的技术突破与未来规划。
武汉新芯集成电路股份有限公司市场总监郭晓超
技术迭代加速，新芯股份引领射频SOI创新
随着5G-Advanced技术的推进，启用新频段成为其关键特征之一。郭晓超引用数据预测，到2030年，全球手机出货量将大幅增长，其中支持6G技术的手机将逐步扩大市场份额，而中国有望成为6G技术普及的前沿阵地。
面对市场的快速增长，新芯股份凭借其领先的射频SOI（RF-SOI）技术，不断推动产品迭代与创新。
郭晓超介绍，新芯股份的RF-SOI技术覆盖了从低端到高端射频前端分立及模组的全系列产品，具有超低的功耗指标（FoM）、优异的谐波性能、极低的噪声系数（Nfmin）和超高的增益。
具体而言，新芯股份的RF-SOI技术节点已涵盖55nm及以下多个制程，支持从接收开关（Rx Switch）、发射开关（Tx Switch）到低噪声放大器（LNA）、调谐器（Tuner）以及Wi-Fi前端模块（FEM）等分立器件到集成模组广泛的应用场景。
特别是其12英寸RF-SOI晶圆技术，在国内处于领先地位，为市场提供了高性能、低功耗的射频解决方案。
3D RFFE革命，推动芯片小型化与集成化
RFFE集成的简化是行业发展的重要方向。从2014年到2028年的技术演进路线图来看，RF-SOI技术经历了多个阶段的发展，从分立Phase5N到如今的Phase8L集成方案，再到未来的PhaseX演进等不同阶段，每个阶段都面临着成本、尺寸、功耗、性能等多方面的挑战。
在演讲中，郭晓超还重点介绍了新芯股份在3D射频前端（3D RFFE）领域的革命性进展。她指出，随着芯片尺寸的减小和CMOS工艺的进步，3D RFFE技术成为实现射频前端模块小型化、低功耗和高性能的关键。
多MIMO堆叠、异构RFFE集成、PA+Filter+SOI的多通道重复集成、相控阵扩展等都是3D RFFE未来的发展趋势。新芯股份的3D RFFE解决方案通过垂直堆叠芯片和PCB板，实现了更小的封装尺寸和更大的CMOS面积，从而降低了功耗并延长了电池寿命。
郭晓超以iPhone系列为例，展示了3D RFFE技术如何帮助实现设备的小型化和轻量化。
此外，新芯股份还积极探索异构射频前端集成（Heterogeneous RFFE Integration），通过将功率放大器（PA）、滤波器和SOI开关等组件集成在同一芯片上，进一步减小了芯片尺寸并提高了系统性能。
持续创新，引领3D集成浪潮
郭晓超强调了新芯股份在技术创新方面的持续投入和领先地位。她指出，新芯股份拥有近20年的12英寸晶圆代工经验，确保了稳定的制造能力和及时的交付能力。同时，公司还积极拓展产能计划，以满足市场不断增长的需求。
特别是在3D集成技术方面，新芯股份的3DLink平台通过混合键合（Hybrid Bonding）技术实现了晶圆到晶圆或芯片到晶圆的垂直堆叠，显著提高了带宽并降低了延迟和功耗。
郭晓超表示，新芯股份结合自身3D优势，将为SOI领域提供强有力的支持，推动行业向更高性能、更高维度的方向发展。
践行ESG理念，推动可持续发展
除了技术创新外，郭晓超还介绍了新芯股份在环境、社会和治理（ESG）方面的实践。据介绍，新芯股份拥有15年以上的12英寸CMOS生产经验，10年以上的3D技术经验，并且其RF-SOI生产良率高达99%，W2W混合键合良率达到99.99%。
她表示，公司致力于通过污染预防、资源优化和绿色制造等措施减少环境影响；同时积极履行社会责任，为员工提供安全健康的工作环境并与合作伙伴共享可持续发展成果。
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