三星HBM4，责任重大

“NVIDIA决定提高第六代高带宽内存（HBM4）的运行速度标准，是三星电子推动的结果。”

一家负责HBM开发的全球存储器半导体公司高管表示。该公司确信三星电子能够在HBM4性能上确保优于竞争对手的优势，因此向NVIDIA提出，其运行速度可以超越国际半导体标准化组织（JEDEC）的标准。尽管三星电子在HBM4首批样品交付方面落后于SK海力士和美光，但它还是孤注一掷，用技术实力弥补了这一差距。

SK海力士和美光公司交付的最终样品符合NVIDIA提高的运行速度标准，但据报道，他们对这一要求感到吃惊。通常情况下，HBM的散热问题比运行速度更重要，因此他们没有预料到NVIDIA会大幅提高速度。相比之下，据悉三星电子从提供给NVIDIA的初始样品开始就记录了很高的运行速度。

三星电子在第五代 HBM（HBM3E）之前一直将市场份额拱手让给竞争对手，如今则将未来押注于 HBM4。HBM4 内置的 DRAM 将采用第六代（1c）工艺，即 10 纳米（nm·十亿分之一米）级工艺，领先竞争对手一代。作为 HBM4 大脑的“逻辑芯片”，将采用三星代工厂的 4nm 工艺。相比之下，SK 海力士采用台积电的 12nm 工艺，美光则采用其 DRAM 工艺。尽管与竞争对手相比，三星电子在开发和量产方面投入的成本巨大，但三星电子正展现出通过应用先进工艺迅速打入 NVIDIA 供应链的坚定决心。

1c DRAM工艺的快速商业化是另一个令竞争对手感到不安的因素。1c DRAM市场预计最早将于明年开放，三星电子正积极将1c DRAM工艺应用于HBM4项目，以稳定其技术能力。预计DRAM市场明年将进入供不应求的“繁荣期”，三星电子加速下一代产品的商业化进程或许是一个机遇。

三星电子在设备投资方面也处于领先地位。它已抢先建立了能够立即响应市场需求的量产系统。该系统旨在执行“向市场大量供应”的战略，并确保价格竞争优势，这让人想起该公司在DRAM市场占据主导地位时的策略。

当然，在NVIDIA系统上安装HBM4进行样品验证的过程仍然存在。在最终测试阶段，HBM4将安装在NVIDIA的Rubin平台上，可能会出现意想不到的质量问题。如果质量测试因此而推迟，迄今为止的大规模投资可能会适得其反。在HBM3E尝到失败的滋味并进行了大胆的冒险之后，三星电子现在必须用HBM4的最终成果来回报股东的期望。