AI存储需求激发HDD替代效应,NAND Flash转向大容量Nearline SSD

半导体产业纵横 2025-10-14 18:09

AI存储需求激发HDD替代效应,NAND Flash转向大容量Nearline SSD图2
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合

NAND Flash通过3D堆栈技术的演进,产能提升速度远快于HDD

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根据TrendForce集邦咨询最新调查,AI推理(AI Inference)应用快速推升实时存取、高速处理海量数据的需求,促使机械硬盘(HDD)与固态硬盘(SSD)供应商积极扩大供给大容量存储产品。

在传统数据中心储存分层架构中,HDD凭借每单位储存容量(GB)的极低成本优势,稳居冷数据(Cold Data)主流储存方案。冷数据包含备份档案、历史记录等不常被存取,但需要长期归档保存的数据。随着Inference AIAI推理)应用扩张,冷数据储存需求也急速攀升。

SSD则以其高速的读写性能,主要负责需频繁存取的热数据(Hot Data)和温数据(Warm Data)。若比较QLC SSDNearline HDD,前者不仅效能较佳,而且可节省约30%的耗电量。

由于HDD市场正面临巨大供应缺口,激励NAND Flash厂商加速技术转进,投入122TB、甚至245TB等超大容量Nearline(近线) SSD的生产,原先对未来需求不确定的状况获得缓解。

北美CSP早已规划于温数据应用扩大采用SSD,但因为这波HDD缺口严峻,CSP甚至开始考虑于冷数据采用SSD,然而,要迈向大规模部署须先解决成本和供应链的双重挑战。

TrendForce集邦咨询指出,若CSP要导入QLC SSD于冷数据储存,需考量数据管理算法的修正、软件堆栈的适配,以及对整体拥有成本(TCO)的精算,有必要坚守价格底线以达到成本平衡。对SSD供应商而言,尽管这波转单需求是改善获利结构的绝佳机会,但因高容量产品的产能有限,供应商不会愿意大幅降价。因此,预期买卖双方将有一场价格博弈,带动2025年第四季整体Enterprise SSD合约价季增5-10%

TrendForce集邦咨询表示,HDD产业正值技术换代的阵痛期,投资新一代热辅助磁记录(HAMR)技术产线初期的高昂成本,不仅造成产能扩张瓶颈,也迫使供应商将费用转嫁给客户,导致每GB的平均售价(ASP Per GB)从过往的0.012-0.013美元,提高至0.015-0.016美元,削弱了HDD最核心的成本优势。

相比之下,NAND Flash通过3D堆栈技术的演进,产能提升速度远快于HDD。此外,随着堆栈层数从上百层迈向200层以上或更高,晶圆的储存位元密度不断提升。预期20262Tb QLC芯片的产出将逐步放量,成为降低Nearline SSD成本的主力。

近期以来,多国芯片巨头上调产品报价。据央视财经报道,过去半年,全球存储芯片价格持续上涨。特别是最近一个月,涨价消息越发密集。

9月下旬,三星电子发出第四季度提价通知,计划将部分DRAM价格上调15%30%NAND闪存价格上调5%10%

NAND闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价,价格涨幅约10%

916日,西部数据通知客户将逐步提高所有HDD(机械硬盘)产品的价格。

9月上旬,闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的NAND产品价格上调10%以上。

涉及涨价的存储芯片种类大致涵盖DRAMNAND两种类型:前者是一种易失性半导体储器,读取速度相对快但断电后数据瞬间消失,无法长期保存,近期受市场追捧的HBM也属于这一类型;后者属于非易失性存储,断电后数据仍能稳定留存,往往负责存放海量数据和模型参数,SSDHDD等属于此列。

根据摩根士丹利的最新研报预测,人工智能热潮下,存储芯片行业预计迎来一个“超级周期”。

摩根士丹利预计,今年第四季度,动态随机存取存储器DRAM的价格将环比上涨约9%。由此摩根士丹利还将韩国半导体行业的评级上调至了“具有吸引力”,并将SK海力士的评级从“保持”上调至了“增持”。

而在最受市场追捧的高带宽存储器HBM领域,现在每一块HBM芯片都需针对特定的AI GPU定制,客户需要提前一年下单,合同通常为一年期。这与传统DRAM芯片形成了鲜明对比,后者可以随时采购,甚至当天交付,并且容易更换供应商。新的订货模式不仅提升了供应稳定性,也显著增强了存储厂商的议价能力。花旗分析指出,HBM的毛利率约在50%60%,而传统的DRAM仅为30%左右。

多数分析认为,未来五年HBM将继续主导存储芯片市场。不过也有分析人士提醒,存储芯片本质上依然是一个强周期行业,价格高度依赖供需变化,未来还需警惕潜在的技术替代和需求波动。

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