该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势。
美国加利福尼亚州圣何塞，2025年10月13日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit)，其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上，NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作，加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
新白皮书详细阐述了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势，展示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800VDC架构的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，该白皮书还表明，与堆叠式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，单个1250V PowiGaN开关可提供更高的功率密度和效率。
该白皮书还重点介绍了Power Integrations的InnoMux™2-EP IC，它是适用于800VDC数据中心辅助电源的独特解决方案。InnoMux-2器件内集成的1700V PowiGaN开关支持1000VDC输入电压，其SR ZVS工作模式在液冷无风扇的800VDC架构中可为12V系统提供超过90.3%的效率。
Power Integrations产品开发副总裁Roland Saint-Pierre表示：“随着人工智能对电力需求的不断增长，采用800VDC输入方案可简化机架设计、提高空间利用效率并减少铜材用量。随着机架电力需求的不断攀升，我们认为1250V和1700V PowiGaN器件是主电源和辅助电源的理想选择，它们能够满足800VDC数据中心所需的效率、可靠性和功率密度要求。”
Power Integrations作为已实现量产1250V和1700V高压GaN开关的重点供应商，于2018年推出首款GaN IC，目前已有超过1.75亿个GaN开关应用于各类终端产品，涵盖快速充电器、数据中心及电动汽车等领域。
如需详细了解有关Power Integrations面向AI数据中心的PowiGaN技术，并获取题为《1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用》的白皮书，请点击https://www.power.com/ai-data-center或阅读原文。
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