一、核心技术体系：以精密工艺定义加工标准
泽晶宇半导体聚焦半导体制造全流程关键环节，通过工艺创新与耗材自研的深度融合，在多维度加工领域形成技术壁垒，核心能力涵盖八大关键方向：
1. 全材料定制化加工：适配高端制造多元需求
依托对半导体材料特性的深刻理解，泽晶宇构建了针对不同材质的定制化加工体系，服务覆盖晶圆、芯片、外延片、陶瓷、碳化硅（SiC）、金刚石等全品类半导体材料。无论是硬脆的碳化硅衬底，还是精密的外延结构件，均能通过专属工艺方案实现材料性能的精准保留与加工精度的严格控制。加工过程采用全闭环监控系统，实时追踪温度、压力等关键参数，确保批次加工一致性，为5G通信、功率电子、半导体照明等高端领域提供稳定的材料加工支撑。
2. 超硬材料精密切割：实现微米级尺寸控制
针对碳化硅、金刚石等超硬材料的切割难题，泽晶宇采用金刚石线锯、金刚石刀片等超硬切割工具，结合高速旋转切削技术与自适应参数调节系统，实现复杂形状与精准尺寸的高效切割。切割过程中通过双轴稳定装置保障工件与工具的相对位置精度，配合实时冷却系统避免热应力导致的裂纹缺陷，切割精度可达20μm级，满足第三代半导体器件对衬底尺寸的严苛要求。针对不同应用场景，可灵活提供整片切割、图形化切割等多种方案，适配6-8英寸及定制尺寸衬底加工需求。
3. 激光剥离技术：构建低损高效加工体系
在超薄晶圆与异质集成加工领域，泽晶宇打造先进激光加工技术体系，涵盖激光隐切与激光剥离核心能力。借鉴行业前沿激光垂直剥离技术原理，通过飞秒激光加工系统与自主开发的光束整形算法，实现碳化硅晶锭、单晶金刚石等材料的无损剥离。激光剥离过程中，利用多焦点算法精准控制能量分布，在材料内部形成剥离界面，配合可视化操作系统完成精准分离，避免机械应力导致的材料破损，剥离后晶片表面粗糙度低于1nm，良率较传统工艺提升30%以上，为半导体器件的超薄化、轻量化制造提供关键支撑。
4. 多类型键合技术：支撑高集成度封装需求
针对半导体封装向高密度、高可靠性演进的趋势，泽晶宇开发了覆盖多材料、多场景的键合技术方案，包括阳极键合、共晶键合等主流工艺，可实现金属（Au、Pt等）与非金属（ITO、Al₂O₃等）材料的牢固键合。键合系统支持最大1m×1m衬底尺寸加工，通过精准的温度场控制与压力调节，实现键合界面的无空隙连接，键合强度可达行业最高标准。在超薄晶圆加工中，通过临时键合技术将器件晶圆与载片晶圆牢固黏接，为背面减薄等后续工艺提供机械支撑，解键合阶段采用加热解离技术，实现无残胶分离，全程保障晶圆完整性。
5. 超薄化减薄工艺：突破微纳制造厚度极限
泽晶宇采用“研磨-减薄-抛光”一体化工艺路线，实现半导体材料的高精度超薄化处理。减薄过程中，先通过金刚石颗粒研磨盘进行初步减厚，将晶圆从原始725μm厚度高效减至目标区间，再通过精密减薄系统进行精细加工，最小可实现50μm以下超薄晶圆加工，厚度公差严格控制在±5μm范围内。针对不同材料特性匹配专属保护膜方案，在高速旋转减薄（砂轮转速达3500转/分钟）过程中，通过超纯水实时冷却与应力缓冲技术，避免晶圆翘曲与破损，减薄后材料平整度误差可控制在5μm以内，满足先进封装对超薄基底的工艺要求。
6. 高精度抛光技术：实现原子级表面光洁度
在研磨基础上，泽晶宇通过抛光工艺进一步提升材料表面质量，采用自主研发的金刚石抛光片与专用抛光液，结合可控压力旋转抛光技术，实现表面光洁度的精准优化。针对碳化硅等硬脆材料，通过抛光参数的动态调节，可有效去除研磨阶段残留的表面缺陷，抛光后表面粗糙度（RA）低至0.3-0.6nm，达到镜面级效果。抛光过程中采用闭环反馈系统，实时监测表面平整度，确保整片材料抛光均匀性，为后续光刻、镀膜等工艺提供优质基底条件。
7. 高端CMP解决方案：自主耗材驱动平坦化升级
化学机械抛光（CMP）作为半导体制造全局平坦化的核心工艺，泽晶宇已实现技术与耗材的双重突破。自主掌握抛光垫全流程研发制造技术，配套开发的金刚石研盘、研磨液、抛光液等耗材，通过颠覆传统的化学配方复合设计，将研磨抛光效率与性能提升至世界先进水平。CMP工艺结合精准的化学反应控制与机械研磨力度调节，可实现30nm至280nm厚度的精确去除，加工后材料表面粗糙度低至0.5nm，厚度公差控制在5μm以内，广泛适用于衬底抛光、金属层平坦化等关键环节，加工精度与稳定性媲美国际一线水平。
8. 超精密综合处理：迈向微纳级加工新高度
以“微米级控制、纳米级精度”为目标，泽晶宇构建了涵盖刻蚀、镀膜、精密检测的超精密处理体系。在刻蚀环节，实现±5%的均匀性控制与低于10nm的侧壁粗糙度，保障微纳结构的精准成型；镀膜工艺可兼容多种功能薄膜沉积，配合键合技术形成一体化加工能力。全流程采用高精密全闭环运动系统与视觉检测系统，对加工件进行微米级定位与纳米级精度检测，确保每一道工序均符合高端半导体制造的严苛标准，填补国内高端MEMS代工等领域的技术空白。
二、技术核心优势：工艺与耗材的协同创新
泽晶宇半导体的核心竞争力源于“工艺自研+耗材自产”的深度协同，形成区别于传统加工企业的独特优势：
- 全链条服务能力：从材料预处理到成品检测，整合切割、键合、减薄、抛光等全环节工艺，无需跨厂协作即可完成多工序加工，大幅缩短交货周期，降低客户沟通成本与流转损耗。
- 自主耗材突破：自主开发的金刚石研盘、研磨液等耗材，针对自有工艺特性定制配方，相比传统耗材可提升30%以上的加工效率，同时降低20%的耗材更换频率，实现加工成本的显著优化。
- 硬脆材料专长：深耕碳化硅、金刚石等超硬材料加工技术，攻克传统工艺易开裂、精度低的痛点，相关技术指标达到行业领先水平，成为第三代半导体企业的核心加工合作伙伴。
- 灵活定制能力：可根据客户的材料特性、尺寸要求、应用场景快速调整工艺参数，提供从实验室小批量试制到量产代工的全场景服务，适配创新型企业的研发需求与规模化企业的量产需求。
三、应用场景与客户价值：赋能产业高质量发展
泽晶宇半导体的技术方案已广泛应用于第三代半导体、先进封装、MEMS、功率电子等核心领域，成为5G基站、新能源汽车、高端芯片等终端产品制造链条中的关键支撑环节。通过与客户的深度技术协同，实现三大核心价值：
1. 品质升级：以纳米级表面光洁度、微米级尺寸精度与高批次一致性，助力客户提升器件性能与产品良率，如碳化硅器件加工良率可提升至95%以上。
2. 成本优化：通过工艺集成与耗材自研的双重降本，为客户节省30%以上的加工综合成本，同时缩短50%的工艺流转时间，提升市场响应速度。
3. 创新支撑：针对新型材料与结构的加工需求，提供前瞻性技术研发支持，帮助客户快速将实验室成果转化为量产产品，抢占市场先机。
四、合作共赢：构建半导体精密加工生态
作为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会员单位，泽晶宇半导体始终秉持“技术为本、客户至上”的理念，以开放的合作姿态赋能半导体产业发展。我们可为客户提供从技术咨询、工艺定制、样品试制到批量代工的全周期服务，配备专业技术团队提供7×24小时工艺支持，同时免费提供耗材试样与定制化方案设计。
在第三代半导体产业加速崛起的黄金期，泽晶宇半导体愿以多年积累的精密加工技术与行业经验，与全球半导体企业深度合作，共同攻克材料加工难题，推动半导体制造迈向更高精度、更高效率、更低成本的新高度。
合作咨询：如需了解具体工艺参数、耗材规格或定制解决方案，欢迎私信沟通，携手共创半导体产业创新未来！
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