近日，三星电子宣布一项重大技术突破与未来愿景，就是计划将鳍式场效应晶体管（FinFET）制程技术应用于NAND Flash快闪存储器生产上。此动作被解读为三星为应对人工智能（AI）对更大容量NAND Flash快闪存储器的需求所做的准备。不过，这项技术属于未来技术，实际应用仍需一段时间。
三星DS部门技术长Song Jae-hyuk在SEDEX 2025上表示，目标是在晶体管必须堆叠的单位面积内，实现客户所期望的性能和功率。当中，FinFET技术正是这项创新战略的核心之一。
FinFET技术是一种3D结构的制程技术，由于其结构类似鱼鳍（Fin），因此得名FinFET。三星导入该技术的主要目的，就是为了克服传统平面（2D）结构的限制。
此前FinFET主要用于晶圆代工（Foundry），预计搭载3D DRAM。这次三星宣布将FinFET应用于NAND Flash快闪存储器的计划，是产业界的首次。
半导体界普遍认为，一旦FinFET应用于NAND Flash快闪存储器，与现有的存储器相较，密集度（Integration density）将大幅提升。而且，在密集度越高的情况下，就能够在越小的空间内能容纳越多的元件，进一步显著提高性能。
三星指出，高密集度带来的优势还涵盖多个方面：包括信号传输速度加快、功耗降低，同时芯片尺寸缩小，有助于更有效地利用空间。换言之，与现有的平面制程相较，采用FinFET制程的的NAND Flash快闪存储器不仅容量更大，速度也将更快。
