内存巨头，大降价？

随着AI热潮持续升温，HBM（高带宽内存）依然是半导体产业中最关键的资源之一，其供需关系也因AI带来的爆发性需求而愈发紧张。作为全球存储龙头的三星电子，正试图重夺市场主导地位。据悉，三星已启动最高达30%的降价策略，以弥补其在12层HBM3E认证延迟后的市场落差。

随着HBM4预计将在2026年正式登场，三星有望延续这一激进的定价策略，初步报价预计将比SK海力士低6%至8%。

三星的12层HBM3E已于2025年第四季度开始向英伟达出货。尽管当季出货量预计在数万颗规模，但相较于主要竞争对手仍显滞后。

SK海力士早在2024年下半年就已量产12层HBM3E，而美光则在2025年初顺利通过认证，并在全年实现了营收与利润的强劲增长。相比之下，三星在获得英伟达的热管理与性能认证方面历经数月困难。

经过约18个月的测试与修正，三星终于在2025年下半年通过全部认证，成为继SK海力士与美光之后，英伟达的第三家HBM3E合格供应商。但此时，SK海力士与美光已锁定2026年前的销售份额，使三星在出货排期上处于劣势。此外，三星的热性能问题仍未完全解决，其产品温度仍高于竞争对手，并需要与液冷AI服务器配套使用。

市场预计HBM3E的平均售价将在2026年出现下滑。三星率先采取大幅降价措施，价格比竞争对手低约30%。由于此前的1b DRAM制程节点良率不佳、设计问题频发，三星迫切希望避免在即将到来的HBM4上重蹈覆辙，因此直接跳跃至更先进的1c DRAM节点进行HBM4开发。

三星的HBM4认证结果预计将在11月公布，但业界担忧转向1c节点可能带来新的良率不稳定风险。

与此同时，SK海力士已在9月宣布完成HBM4量产准备，只待主要客户批准即可出货。与三星相比，SK海力士选择更为稳健的路线：采用台积电12nm制程制造基底芯片（base die），并叠加自研的1b DRAM。不过，由于HBM4在结构上变化显著，整体生产成本上升。早期预测认为，SK海力士的HBM4价格可能比上一代高出60%至70%。

但最新预估显示，HBM4的涨幅将低于预期：其成本较上一代仅上升约30%，其中台积电逻辑晶片占总生产成本的约20%。随着2026年HBM4供应增加，价格涨幅可能被压缩至约20%。

虽然存储产业凭借HBM出货量与单价上涨维持增长，但SK海力士为了捍卫HBM市场主导地位，利润率或将面临压力。

美光近日宣布已开始出货12层HBM4样品，其带宽达2.8TB/s、速率高达11Gbps，超过JEDEC官方8Gbps规范。三星展示的HBM4规格相近，目标在2026年第一季度实现量产出货，并计划通过更深幅度的折扣来夺回市场份额，报价将比竞争对手再低数个百分点。不过，目前三星尚未获得英伟达对HBM4的正式认证批准。

美光则表示，对其2026年的HBM市场份额充满信心，预计将超过2025年的水平，并认为HBM4竞争所带来的市场波动不会对其地位产生实质性影响。

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