台积电企业策略发展资深副总经理罗唯仁于今年7月底退休后，近期业界传出其可能重返老东家英特尔，并负责研发计划，引发业内对两大半导体巨头技术竞争与人才流动的高度关注。
罗唯仁在台积电任职长达21年，是公司技术发展的重要推手。他于2004年加入台积电，先后担任营运组织副总经理、研发副总经理等职务，最终升任先进技术事业及制造技术副总经理。在其领导下，台积电技术团队取得超过1500项专利，其中约1000项为美国专利，为台积电在先进制程领域的领先地位奠定坚实基础。
值得注意的是，罗唯仁在加入台积电前，曾于1997年至2000年间在英特尔任职，担任先进技术发展协理及CTM厂厂长，对半导体先进制程具备深厚经验。这一背景也被视为其可能重返英特尔的关键因素之一。
台湾地区的工业技术研究院介绍如下：
罗唯仁院士曾担任台积电技术研发暨企业策略发展高级副总裁，是全球半导体制造工艺领域的权威专家与核心推动者。作为制程技术领域的领军人物，他深耕半导体产业多年，带领团队取得全球专利超1500项（其中美国专利约1000项），开创性地为芯片制造企业及客户提供全链条创新解决方案，其技术成果对台湾地区及全球半导体产业格局产生深远影响。
罗院士毕业于美国加州大学伯克利分校，获固态物理及表面化学博士学位。职业生涯早期，他曾在英特尔担任先进技术发展副总裁暨制程技术先进制造厂（CTM）厂长，全面负责美国圣克拉拉CPU工厂的运营，积累了扎实的半导体制造实践经验。2004年加入台积电后，历任营运与研发部门多项高层职务，近年来更肩负企业战略规划与技术传承使命。在台积电任职的二十年间，他主导攻克多项技术难关，成为推动EUV光刻技术（极紫外光刻）及5纳米、3纳米、2纳米等先进制程实现量产的核心人物，其主导创建的7x24小时不间断研发中心，显著缩短技术研发周期，并首创"一体化团队"（One-Team）协作模式，加速技术成果向量产转化。他深度整合台积电与ASML、Applied Materials、Lam Research、TEL等国际设备厂商的协同创新体系，构建起全球领先的制程模块研发网络，率先完成28纳米高介电常数金属栅极（High-K Metal Gate）技术开发并实现高良率量产，技术指标领先全球晶圆代工行业。
作为台积电先进设备发展战略的核心制定者，罗院士主导制定的技术路线图每年带动数百亿美元设备投资，其在技术决策领域的前瞻性与担当精神获业界高度认可。2011年，时任台积电CEO张忠谋亲自为其颁发公司最高荣誉"台积电勋章"（TSMC Medal of Honor），以表彰其"在重大技术决策中展现的卓越领导力"。他通过持续的技术创新与产业协同，不仅巩固了台积电在全球半导体制造领域的领导地位，更推动中国台湾地区构建起完整的半导体产业链，奠定其在全球半导体制造版图中的核心枢纽地位。面对全球产业低碳转型趋势，他率先推动半导体产业向技术创新与可持续发展双轮驱动模式转型，为区域经济发展与社会科技进步作出重要贡献。
业界分析指出，若罗唯仁最终加盟英特尔，将正值全球半导体竞争白热化的关键阶段。台积电目前正全力推进2纳米制程量产，而英特尔也积极发展18A制程技术，计划应用于下一代处理器。罗唯仁的研发经验与技术视野，若为英特尔所用，可能对双方竞争格局带来变数。不过，也有观点认为，台积电以系统化团队协作与制度化为核心，单一高层变动对公司整体技术路线影响有限。此外，罗唯仁是否受竞业条款约束、其个人意愿及健康状况等，均为这一传闻的不确定因素。
截至目前，台积电与英特尔均未对此传闻作出正式回应。业界持续关注后续发展，认为此次人事动向将牵动全球高端制程竞争态势，成为观察半导体产业人才布局与技术竞争的重要风向标。
