前言
在充电器产品向更小体积、更高功率密度与更低功耗进的当下，氮化镓（GaN）器件与高度集成的电源芯片正成为实现迷你化快充的关键技术路径。科技商业资讯小米推出的Nano 33W迷你氮化镓充电器，正是顺应这一趋势，该产品采用了先进的氮化镓技术，配合英集芯提供的全套电源方案，为用户带来了小巧、轻便且高效的充电体验。
充电头网在拿到这款产品后，也进行了详细拆解，接下来将简要回顾这款充电器的整体设计特点，并重点介绍其中所采用的英集芯全套电源方案。
小米Nano 33W迷你氮化镓充电器
小米Nano 33W氮化镓充电器采用小布丁系列同款样式机身设计，整体小巧圆润，设计满足当下消费者对迷你充的需求。产品配备欧规插脚，不过支持100-240V全球宽电压输入，并且兼容PD、PPS、QC快充协议，可满足小米以及苹果、三星等品牌手机日常快充需求。
充电头网通过拆解了解到，这款充电器基于英集芯IP2006H+IP2002TS高频QR反激电源方案进行设计，可搭配氮化镓器件，为实现小巧、高效、可靠的快充产品提供支持。此外这款产品还采用英集芯定制协议芯片控制接口输出，整体一致性更好，对于助力产品快速量产上市很有帮助。
接下来介绍一下其内部采用的英集芯方案。
初级主控芯片 IP2006H
初级主控芯片来自英集芯，型号为IP2006H，是一款高性能多模式数模混合反激控制器，芯片具备频率折返和谷底导通技术，并支持自适应开关频率，提高轻载效率，最大开关频率得到优化，降低温升，并提高满载效率。
IP2006H还具备突发模式，能够在轻载和空载下降低待机功耗，满足CoC V5和DoE VI标准，芯片具备完善的保护功能，包括Brown-in/Brown-out、输出过压保护、输出欠压保护、VDD过压保护、输入过压保护和过热保护，并且支持参数定制，支持过功率保护，采用SOT23-6封装。
英集芯 IP2006H 资料信息。
同步整流芯片 IP2002TS
同步整流芯片来自英集芯，型号IP2002TS，这是一款集成了65V MOSFET的同步整流控制器，可取代高效反激电源中的整流肖特基二极管。通过检测同步整流(SR)MOSFET 的漏极-源极电压，IP2002TS可以输出理想的驱动信号开启或关断MOSFET。同步整流可以有效降低二次侧整 流器的功耗，获得更高的效率和更高的功率密度。
IP2002TS仅需极少的外围器件就可以为3.3-12V的输出电压应用提供高性能的解决方案。无需辅助绕组供电，内部的稳压电路可以产生自己的电源电压，这使得它适用于具有低输出电压要求的充电器应用，或采用高侧同步整流方案的适配器应用。
为了保证快速关断MOSFET的能力，随着次级电流的减小，IP2002TS通过降低MOSFET的驱动 电压来将MOSFET的导通压降调节至约40mV，并在漏极-源极电压反向之前将其迅速关闭。可配置的振铃检测电路防止IP2002TS在不连续导通模式(DCM)和准谐振时的 VDS 振铃导致错误开启。IP2002TS采用SOP8L封装。
协议芯片 C2
协议芯片由小米向英集芯定制，芯片丝印了小米和英集芯两家品牌的logo，还丝印有C2字样。
充电头网总结
通过拆解与分析，可以发现小米 Nano 33W 迷你氮化镓充电器的设计亮点，这款充电器以仅 32×32×32mm 的迷你体积实现 33W 输出，内部采用英集芯的全套电源方案，初级主控 IP2006H、同步整流 IP2002TS 以及小米定制的协议芯片 C2，配合 GaN 器件与高集成控制器，使得产品在体积、效率与热管理之间取得良好平衡；同时支持 PD/PPS/QC 等主流快充协议，具备全球宽电压兼容性，适配主流手机品牌的日常快充需求。
同时在中我们发现采用了同样的IP2006H+IP2002TS 的设计， 看来是英雄所见略同。
这类以高集成芯片＋GaN 器件为核心的迷你化快充设计代表了充电器模块化、标准化与高功率密度发展的方向。对厂商而言，采用成熟的整套方案能有效缩短开发周期、降低设计风险并提升量产一致性；对终端用户，则带来更小巧便携、更高效且更可靠的充电体验。与此同时，符合能效与待机功耗规范的设计也有助于满足各地监管与市场对能耗的更高要求。
