简单认识一下二极管。
英文缩写： D (Diode) 。
电路符号是：
半导体二极管的分类：
a-按材质分：硅二极管和锗二极管；
b-按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，
变容二极管。
半导体二极管，在电路中常用 D 加数字表示，如： D5 表示编号为5 的半导体二极管 。
半导体二极管的导通电压是：
a-硅二极管在两极加上电压，并且电压大于0.6V时才能导通，导通后电压保持在 0.6- 0.8V之间。
b-锗二极管在两极加上电压并且电压大于0.2V时才能导通，导通后电压保持在0.2-0.3V之间。
半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小。
而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
半导体二极管的识别方法：
a-目视法判断，半导体二极管的极性，一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极，在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极，另外一端是正极。
b-用万用表指针表判断半导体二极管的极性，通常选用万用表的欧姆档 (R ﹡ 100 或 R ﹡1K)，然后分别用万用表的两表笔分别接到二极管的两个极上出，当二极管导通，测的阻值较小，一般几十欧姆至几千欧姆之间，这时黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
当测的阻值很大，一般为几百至几千欧姆，这时黑表笔接的是二极管的负极，红表笔接的是二极管的正极。
c-测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
正向偏置状态下能够安全地承受的最大电流。此值主要与以下参数有关系。
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二极管材料：不同的半导体材料具有不同的载流子迁移率和热特性，从而影响了二极管的最大整流电流。例如，硅(Si)和锗(Ge)是常见的二极管材料，它们具有不同的电学特性。
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二极管结构：二极管的结构包括PN结的设计、掺杂和封装等。这些因素会影响二极管的电流承受能力和散热性能。
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温度：温度对二极管的性能具有显著影响。随着温度的升高，二极管的导通特性可能会发生变化，最大整流电流通常在特定温度范围内给出。
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散热设计：二极管的工作温度受到其周围环境和散热设计的影响。良好的散热设计可以帮助降低二极管的工作温度，从而提高其最大整流电流。
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封装类型：不同类型的封装（例如TO-220、SMD、DO-41等）具有不同的散热能力和电流承受能力，会影响最大整流电流的数值。
稳压二极管的基本知识：
a-稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
b-故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这 3 种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后 2 种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为
0.6-0.8V ；锗管的导通电压为 0.2-0.3V ），而工程分析时通常采用的是 0.7V。
半导体二极管的伏安特性曲线：（ 通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见下图。
半导体二极管的好坏判别，用万用表R﹡100 或 R﹡1K 档测量二极管的正向电阻要求在1K 左右，反向电阻应在 100K 以上，总之，正向电阻越小越好，反向电阻越大越好，若正向电阻无穷大，说明二极管内部断路。
反向电阻为零，表明二极管击穿，内部断开或击穿的二极管均不能使用。
反向击穿电压的大小一般跟以下因素有关。
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PN结设计：PN结的设计影响了二极管的击穿电压。击穿电压是指在反向偏置状态下，当反向电压超过一定值时，PN结会发生击穿并导致电流快速增加的现象。
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材料特性：二极管材料的特性也会影响最高反向工作电压。例如，硅二极管通常具有比锗二极管更高的击穿电压，因此可以承受更高的反向电压。
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温度效应：温度对二极管的击穿电压和漏电流有显著影响。在高温下，二极管的击穿电压可能会降低，因此在设计中需要考虑工作温度范围内的最大反向工作电压。
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封装和结构：二极管的封装和结构也会影响其最高反向工作电压。良好的封装和结构设计可以提供更好的电场分布和击穿电压分布，从而提高最高反向工作电压。
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