安森美联手英诺赛科！中低压GaN器件渗透加速

12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大氮化镓功率器件的生产规模。

备忘录中明确了合作框架，将整合安森美在集成系统与封装领域的领导地位，以及英诺赛科成熟的氮化镓技术与高产量制造能力，为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和人工智能数据中心市场提供高性价比、高能效的氮化镓产品。

安森美表示，对于安森美的客户而言，与英诺赛科的合作将带来三大核心价值：

更快上市速度：借助安森美的系统专业知识与英诺赛科成熟的氮化镓技术及制造能力，实现快速原型开发、加速设计导入，迅速切入主流市场；
可扩展制造：依托安森美的全球集成与封装经验，以及英诺赛科已建立的氮化镓产能，实现真正的大众市场规模化生产，满足大规模产能爬坡需求；
更低系统成本：优化的封装设计、更少的元器件数量及简化的热管理方案，带来更紧凑的产品设计及更低的系统总成本。

英诺赛科表示，双方合作将通过晶圆采购等方式，有望在未来几年将带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在新能源汽车、人工智能、数据中心，工业等关键领域的市场开拓与布局带来先机。

值得一提的是，安森美此前曾与多家GaN器件厂商合作。2015年开始，安森美在Gan功率器件领域与Transphorm合作，开发 600V GaN 级联结构晶体管；2019年安森美采用 GaN Systems 的 650V、30A 氮化镓增强型晶体管，搭配安森美的 NCP51820 高速栅极驱动器，推出高速半桥 GaN 系统评估板。

后续GaN Systems被英飞凌收购、Transphorm被瑞萨收购后，安森美并未放弃在GaN领域的布局。

安森美在2024年12月以2000万美元收购了已破产的垂直氮化镓厂商NexGen Power Systems的晶圆厂，另外还购买了NexGen的知识产权和其拥有的工厂设备。实际上，NexGen此前已经推出了性能指标亮眼的垂直GaN器件工程样品，但由于种种原因倒在量产前。

在吸收NexGen资产后，今年11月，安森美正式发布可量产垂直GaN功率半导体技术，并表示研究人员对垂直氮化镓的探索已持续 15 年以上，但直至今日，安森美才成为全球首家实现该技术规模化量产上市的企业。

垂直GaN主要优势在于1200V以上的高压领域，而目前已经受到市场广泛验证的横向GaN功率半导体仍是主流，在AI数据中心、电动汽车等领域仍有巨大的市场拓展空间。因此安森美这次与英诺赛科合作，也是为了补足中低压GaN产品线，联合英诺赛科的硅基氮化镓晶圆制造优势，形成覆盖 “晶圆制造→封装→系统集成”的产业链条互补。

得益于在硅基氮化镓领域的制造能力优势，英诺赛科在近期也有多项重大产业链合作落地。包括9月份与联合电子、纳芯微共同签署战略合作协议，三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成氮化镓相关产品。

11月，意法半导体推出了一系列基于氮化镓技术的反激式电源集成器件VIPerGaN50W，可简化紧凑、高效的USB-PD充电器、快速电池充电器和辅助电源的设计和构建。该系列产品采用了英诺赛科700V高性能氮化镓晶圆，实现了电源设计更紧凑、更高效应用。

同在11月，Allegro与英诺赛科宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。该新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。这种独特组合可实现卓越的开关性能和精简的系统设计，助力工程师达成钛金级电源效率和超过 100 W/in³ 的功率密度，极大地简化了系统设计，并显著减少了无源元件的数量。

安森美联手英诺赛科！中低压GaN器件渗透加速图1