安森美与格芯签约，联合开发650V氮化镓功率器件

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安森美半导体与格芯签署合作协议，联合研发并制造下一代氮化镓（GaN）功率器件，将其功率半导体产品组合拓展至高压横向氮化镓解决方案。双方表示，初期将聚焦采用格芯8英寸增强型硅基氮化镓制程技术生产的650伏器件。

瞄准高效功率应用场景

根据新闻稿，协议约定格芯将提供其8英寸硅基氮化镓平台的制程技术与制造支持，安森美则贡献系统级及产品设计专长。合作双方旨在满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源系统、工业设备以及航空航天与国防平台等领域日益增长的功率效率与功率密度需求。安森美计划于2026年上半年向客户提供首批产品样品，随后逐步 ramp 量产。

以集成解决方案拓展氮化镓产品组合

此次合作将650V横向氮化镓器件纳入安森美现有的功率产品组合，该组合已涵盖硅基解决方案及其他氮化镓技术。安森美计划将新型氮化镓器件与其硅基驱动器、控制器及封装技术相结合，提供集成式功率解决方案。目标应用包括：数据中心电源与直流-直流（DC-DC)转换器、电动汽车车载充电器与DC-DC转换器、太阳能微型逆变器、储能系统以及工业和航空航天相关系统所用的电机驱动器。

美国本土制造契合供应链优先级

格芯表示，该协议是其基于8英寸晶圆拓展化合物半导体制造战略的延伸——相较于小尺寸晶圆，8英寸晶圆可支持更大的生产规模。该公司还强调，合作研发的氮化镓器件将在美国本土制造，这与客户及各国政府为关键基础设施和战略产业强化本土半导体供应链的努力相契合。

效率与密度需求驱动氮化镓应用普及

氮化镓功率半导体正越来越多地应用于对开关频率和效率有更高要求的场景，尤其适用于受尺寸和热限制约束的系统。与传统硅基器件相比，氮化镓解决方案可实现更小的无源元件和更高的功率密度，但也存在设计与成本方面的挑战，供应商正通过集成与封装技术寻求突破。

为系统设计师拓宽架构选择

安森美表示，新产品将完善其多元化的氮化镓产品矩阵——涵盖低、中、高压横向氮化镓以及超高压纵向氮化镓技术。通过提供多种氮化镓架构及硅基功率管理元件，该公司旨在为系统设计师开发下一代功率架构提供更丰富的选择。

双方均未披露协议的财务条款。此次合作公布之际，半导体供应商正持续加大对功率技术的投入，以支持AI计算、交通电气化及能源转型相关基础设施的发展。