最近，一种说法在业内与舆论场反复被提起——“中国的5nm（或7nm）只是数字游戏，性能并没有真正提升，与美国至少还有10年差距。”这类观点常被归因到以英伟达为代表的顶级芯片企业高管或其技术视角之下，态度冷静甚至略带傲慢。它迅速引发争论：这是技术事实，还是话语权优势下的价值判断？ PART.01 制程数字，究竟是不是“文字游戏”？ 先把最容易混淆的一点说清楚：“nm”本身早已不等于真实的物理栅长。 从28nm之后，全球半导体进入“等效制程”时代。今天的5nm、4nm、3nm，更多是一整套工艺能力的品牌标签，而非某一根线宽的真实尺寸。 台积电5nm ≠ 三星5nm ≠ 英特尔“Intel 4”。同一“nm”节点下，晶体管密度、功耗曲线、良率、设计规则差异巨大。 所以，从严格工程角度看，说“nm是数字”并不完全错误，它确实是一个综合指标，而非单点参数。 但问题在于：“数字化”≠“没进步”。 PART.02 中国的先进制程，究竟进步了没有？ 目前公开可验证的信息显示：麒麟9000S / 麒麟9010：等效7nm工艺，DUV多重曝光。龙芯3A6000：14nm工艺，但架构与指令集完全自研。制造路径：在极端设备受限条件下，依靠工艺堆叠、设计补偿、系统级优化实现量产。 如果只看“单位核心峰值性能”，国产先进制程确实不占优势；但如果看实际用户体验、系统吞吐、功耗-性能曲线的可用区间，结论就不一样了。 举个直观对比：麒麟9000S整体性能 ≈ 骁龙888（约3年差距），中低负载体验，接近早期骁龙8 Gen1，高负载持续性能与能效，仍明显落后于台积电4nm体系。 为什么看起来性能没跃迁？ 答案很现实：DUV的天花板就在那儿。DUV理论极限：≈7nm（依靠多重曝光、工艺堆叠）。再往下，EUV几乎不可替代。 多重曝光 = 成本上升 + 良率下降 + 功耗劣化。 所以你看到的是：制程节点“前进”，单位功耗性能提升不明显，芯片“能用，但不完美”。这不是技术路线错误，而是在极端限制下，优先“活下来”的理性选择。 PART.03 真正的差距，不在设计，而在制造链条 一个常被忽视的事实是：中国在芯片设计层面，已基本追平国际一线；真正的短板，在高端制造装备。 已经站上国际舞台的部分：中微半导体（AMEC）高端刻蚀设备已进入台积电等国际头部晶圆厂供应体系；盛美半导体（ACM）的清洗、除胶、电镀等多环节设备，多项工艺达到国际先进水平；国产抛光液、靶材、部分特气等材料体系实现替代。 仍然存在显著差距的领域：EUV光刻机；部分高端量检测设备； 超高一致性工艺控制。 所以，说“产业链差距10年”，并非空穴来风；但这10年，不是“从0到1”，而是从80到95的艰难爬坡。 当有人反复强调：“你们落后10年，永远追不上。” 其真正目的，往往不是技术讨论，而是削弱信心、固化认知、冻结追赶意志。但现实是：7年前，中国连14nm量产都困难，今天，DUV 7nm已进入稳定出货。国产设备正在从“可用”走向“好用”。技术进步，从来不是线性跃迁，而是长时间压缩后的突变。 差距存在，但路已经走通。真正决定未来的，从来不是别人说你落后多少年，而是你有没有继续往前走。
