两家芯片公司，挣翻了

尽管存在对“人工智能泡沫论”的担忧，三星电子和SK海力士明年的盈利预测仍在不断上调。此前，市场普遍预期两家公司合计年度营业利润将超过150万亿韩元，其中三星电子为83万亿韩元，SK海力士为75万亿韩元。然而，由于海外市场研究机构预测明年存储器价格上涨趋势将更加明显，市场预期两家公司的营业利润均可能接近100万亿韩元。

截至17日，主要市场研究公司对明年DRAM和NAND闪存价格的预测汇总显示，DRAM和NAND闪存价格预计将继续上涨15%至20%。TrendForce将DRAM平均售价(ASP)的涨幅设定为8%至15%，并预测供应短缺情况可能会根据供需状况而加剧。Counterpoint Research则指出，由于人工智能数据中心投资增加以及内存供应恢复正常化进程的延迟，DRAM价格明年可能每年上涨高达20%。

也有观点认为，NAND闪存供应短缺问题十分严重。由于NAND闪存利润下滑，三星电子和SK海力士已连续数年削减生产线，并调整了资本投资方向，将重点转向利润率更高的高带宽内存（HBM）。因此，NAND闪存的供应增长速度受到限制。分析指出，在此背景下，人工智能数据中心必不可少的高性能固态硬盘（SSD）需求爆炸式增长，导致供需失衡日益加剧。

TrendForce 观察到，2026 年 NAND 闪存的供需情况如下：年需求增长率约为 20-22%，而年供应增长率约为 15-17%。由于供应不足以满足需求，预计 NAND 闪存的平均价格将比上年上涨 8-15%（个位数百分比）。企业级 NAND 闪存的价格涨幅可能超过 25%。

对此，证券公司再次上调了对三星电子和SK海力士明年盈利的预期。Kiwoom证券预计三星电子明年的年度营业利润为107.612万亿韩元，而iM证券则预测SK海力士同期的营业利润为93.843万亿韩元。三星电子2018年创下的年度营业利润纪录为58.89万亿韩元，而SK海力士去年的营业利润为23.4673万亿韩元。

关键在于，明年存储器半导体市场的价格上涨幅度将因产品类别而异，例如高带宽内存（HBM）、通用DRAM和NAND闪存。对于三星电子、SK海力士和美光这三大存储器公司而言，其业绩可能取决于销售的产品类型，而非销售数量，因为它们的目标是最大化利润率。

SK海力士一直保持着HBM市场的领先地位，如果以第五代HBM（HBM3E）为核心的出货量扩张以及对AI服务器的强劲需求持续下去，那么平均售价（ASP）的上涨可能会对其产生最显著的影响。市场预计，SK海力士在服务器和HBM领域的盈利优势将持续到2026年。然而，对于第六代HBM（HBM4）产品而言，由于其技术水平与三星电子几乎处于同一水平，因此前景仍不明朗。

三星电子在内存出货量方面继续保持绝对领先地位，但关键在于其恢复HBM市场份额的速度。鉴于三星电子的HBM3E出货量近期有所增长，如果通用DRAM和NAND闪存的价格同步上涨，销量和价格的双重影响可能会显著提升其内存业务部门的业绩。