美国BIS已更改政策，取消韩国半导体公司中国工厂的VEU资格，允许其每年出口设备。
美国政府决定部分放宽对包括三星电子和SK海力士在内的韩国半导体公司向其中国工厂出口设备的限制。此举将避免每次设备出货都需要单独审批的最坏情况。
据业内人士12月30日透露，美国商务部工业与安全局（BIS）已更改政策，取消韩国半导体公司中国工厂的“最终用户认证（VEU）”资格，允许其每年出口设备。
回溯其历史，美国商务部自2022年起对美制半导体设备出口中国实施严格管制，但当时给予三星、SK海力士及英特尔豁免，允许它们维持在华现有工厂的运作。根据最新规定，这些公司今后如要在中国采购相关设备，必须逐案申请出口许可证。
随后在今年8月，美国商务部发布通知，宣布将撤销韩国芯片制造商三星和SK海力士在其中国工厂使用美国设备的豁免，这将使两家公司更难在中国生产芯片。限制措施将在120天后生效。美国商务部在一份声明中称，美国计划向相关企业发放许可证，允许其继续在华运营现有的设施，但不打算发放扩大产能或升级技术的许可，从而取消“只对外国生产商有利、却没有给美国制造商带来类似好处的宽松做法”。
三星和SK海力士很大一部分的存储芯片产能依赖于中国。三星西安厂占三星NAND Flash四成产能，两座厂月产能25万片，占全球NAND Flash产能1/10，也是三星在海外唯一的存储芯片工厂。三星苏州厂主营存储器、存储器模块及集成电路的组装和测试。三星天津厂则主营LED产品，天津三星LED公司成立于2009年，经营范围包括电子元器件制造、电子元器件批发、电子元器件零售、半导体照明器件制造等。
SK海力士则在中国有两个生产基地，分别位于重庆与无锡。其中无锡厂是SK海力士的存储芯片生产主力之一。有分析师之前指出，SK海力士无锡厂的产量约占该公司DRAM芯片的大约一半、全球产量的15%。重庆厂主要侧重于芯片封装。值得一提的是，SK海力士已于2021年收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。
根据市场追踪机构Gartner的数据，全球前五大半导体设备公司占整个市场的70%以上的设备，大多为美国制造。此举将使韩国两大存储芯片制造商在中国的运营难度大增，限制措施也冲击到美国半导体设备供应商，包括科磊（KLA Corp）、泛林集团（Lam Research）和应用材料（Applied Materials）。
韩国《中央日报》报道称，根据三星发布的公司治理报告，该公司去年向中国半导体工厂添加了总价值3400 万美元的设备。其中包括2100万美元用于其位于苏州的封装工厂和1300万美元用于其位于西安的 NAND 闪存生产设施。同样在中国生产 DRAM 芯片的SK 海力士的投资甚至更大。该公司去年将价值8300 万美元的设备转移到其位于无锡的 DRAM 工厂、位于重庆的封装工厂以及从英特尔手中收购的位于大连的 NAND 闪存工厂。仅在3月份，就有价值3200万美元的设备从韩国运往无锡晶圆厂。两家公司都以“生产效率”为转移设备的原因。
SK海力士在一份声明中表示，“将与韩国和美国政府保持密切沟通，并采取必要措施，尽量减少对我们业务的影响”。
2025年全球存储芯片市场的持续升温，成为此次美国政策放宽的关键产业背景。随着存储芯片供需缺口短期难以填补，涨价趋势持续延续。这一轮存储热潮的核心驱动力来自AI服务器部署加速、智能驾驶与端侧AI应用拓展等新兴场景的需求爆发，带动存储芯片用量激增。在此背景下，三星、SK海力士在华工厂的产能稳定性直接关系到全球存储芯片的供给平衡——若因设备审批受阻导致产能下滑，将进一步加剧全球存储芯片供应紧张格局，推高终端产品成本，最终反噬全球电子产业生态。
此举显著降低了三星电子和SK海力士中国工厂运营期间因设备进口延迟而导致生产中断的可能性。每次设备出货都需要审批的最坏情况也得以避免。这为中国NAND闪存和DRAM生产线的稳定运行提供了保障。然而，用于工厂扩建或工艺改进的设备进口仍然受到限制，这限制了中长期投资策略的实施。
