随着5G基站和新能源汽车快充需求激增，全球GaN功率器件市场正迎来爆发式增长，LMG1210👈的技术特性使其成为高频电源设计工程师的理想选择。
（图源：网络）
根据QYR（恒州博智）的统计和预测，2024年全球GaN半桥驱动器市场销售额达到了8.94亿美元，预计2031年将达到12.27亿美元。GaN半桥驱动器凭借高开关率，在DC-DC电源中增速显著，预计2030年规模或达184亿元。
德州仪器推出的具有可调节死区时间的LMG1210 200V、1.5A、3A半桥MOSFET和GaNFET驱动器，工作频率高达50MHz。
接下来平台君就为大家介绍这一款德州仪器GaN电源产品——LMG1210，首先我们通过竞争力信息卡大致了解一下该芯片。
Chip Overview
01 芯片概述
LMG1210是一款200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管(GaNFET)驱动器，专为要求超高频率、高效率的应用而开发。
该芯片为CMOS 160纳米工艺，有两个管芯的。本文中，平台君主要对其中一个管芯展开介绍，下图为该管芯的概貌图。
概貌图（图源：IPBrain平台）
从上面的概貌图来看，芯片中橙色区域是控制输入的。该芯片具有两种控制输入模式：独立输入模式(IIM)和PWM模式。
在IIM中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从0ns调节为20ns，从下面的电路图可以找到对应模块。
电路图（图源：IPBrain平台）
除了可调节死区时间功能，同时还具有极短的传播延迟和3.4ns高侧/低侧匹配，以优化系统效率。与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率。
Key Modules
02 重点模块
此芯片具备一个内部LDO，可确保5V的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。下图是顶层电路图中红框位置为LDO。
顶层电路图（图源：IPBrain平台）
对应概貌图中位置如下所示，
芯片概貌（图源：IPBrain平台）
下面是LDO的电路图和Poly层图像。
LDO电路（图源：IPBrain平台）
LDO的Poly层图像（图源：IPBrain平台）
使用低LDO输入电压的低LDO损耗，来降低功率损耗，以达到更高功率密度。
驱动器损耗越低，效率越高，有助于防止散热问题。
Chip Details
03 芯片细节
下面平台君给大家分享一些该芯片的细节图。
三极管（图源：IPBrain平台）
电阻（图源：IPBrain平台）
Logo图（图源：IPBrain平台）
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