推进14A（1.4nm级）、陈立武陈暗示已争取到外部客户

CES 2026期间，英特尔CEO陈立武重点提及14A（1.4nm级）制程工艺，称公司正全力推进该技术，其在良率和IP组合上进展强劲，可更好服务客户，措辞暗示已争取到至少一位外部客户。

关键时间节点：14A工艺早期版本PDK于2026年初交付外部客户，预计2027年实现量产。

核心技术特点：基于18A工艺经验升级，采用第二代RibbonFET GAA晶体管、第二代背面供电技术PowerDirect（含Turbo Cells关键路径优化技术）；率先应用High-NA EUV光刻技术，分辨率提升至8nm，减少曝光步骤，提升良率；搭配Foveros Direct 3D堆叠、EMIB-T封装技术，强化集成与带宽表现。

性能优势：相较18A工艺，14A每瓦特性能提升15-20%，芯片密度提升30%，功耗降低25-35%。

市场与产能相关：分析师透露14A获两家潜在代工客户正面反馈，有望覆盖数据中心、PC、移动芯片领域，传闻苹果、NVIDIA、AMD或采用；采用ASML双工位光刻系统，理论产能可满足需求。但英特尔需提前投入巨资建设产能，可能推迟晶圆代工业务盈亏平衡时间，公司称此举可证明外部代工能力，投资者或可接受。