美国拟推100%惩罚性关税倒逼DRAM产能回流，全球存储市场承压加剧

【科技纵览】在2026年1月18日美光位于纽约的新工厂奠基仪式上，美国商务部长霍华德·卢特尼克明确表态：存储芯片制造商若不在美国本土设厂，将面临高达100%的惩罚性关税。此举标志着美方政策重心已从逻辑芯片转向DRAM（动态随机存取存储器）供应链，意图通过关税杠杆迫使全球主要内存厂商加速产能向美转移。

继台积电与三星此前响应“美国制造”倡议后，此次政策锋芒直指尚未在美国建立DRAM晶圆厂的韩国企业。尽管三星电子已在美布局半导体前道与后道制造环节，但至今未公布新建内存专用产线的计划；SK海力士虽于近期宣布在印第安纳州西拉法叶投入40亿美元（约合279.07亿元人民币），但其项目聚焦于2.5D先进封装及研发，并不涉及DRAM生产。目前，仅有美光科技明确承诺在美国本土量产DRAM芯片。

一旦该关税政策正式实施，三星与SK海力士恐难以豁免，将首当其冲承受合规压力与经营风险。而当前全球DRAM市场本就处于供需紧绷状态——受人工智能产业爆发式需求拉动，内存价格已攀升至历史高点，产能扩张步伐却受限于技术与资本门槛。

科技媒体Wccftech分析指出，若美方强行征收100%关税，将显著推高全球供应链成本，极可能导致存储产品价格进一步失控。对于正处于关键成长期的AI行业而言，核心硬件成本激增或成为技术普及的重大障碍，而最终负担或将层层传导至下游设备制造商乃至终端消费者。

这一政策不仅折射出美国在关键技术领域强化本土制造的战略意图，也凸显全球半导体产业链在地缘政治干预下面临的结构性重塑压力。