台积电CoWoS封装:用到哪些材料?有哪些供应商?

21ic电子网 2026-01-21 15:47
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台积电CoWoS封装

材料短缺困局、日本企业垄断超九成后端封装材料市场!中国先进封装材料替代、崛起正当时!!!

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台积电CoWoS先进封装受困于材料短缺及供应链瓶颈,正加速排查评估关键材料供应商,对冲产能扩张压力。

日本企业垄断超九成后端封装材料市场,台积电CoWoS产能激增下,供给端脆弱性凸显。关键材料短缺倒逼头部AI芯片企业联动OSAT及衬底厂商,筑牢产能保障线。

非导电薄膜(NCF)在窄节距封装中价值凸显。传统CUF与MUF技术适用于大节距凸点互连,用于节距<100μm倒装芯片时易产生孔洞,预成型底部填充技术遂成核心方案。

该技术核心是互连前预置底部填料,经回流/热压键合同步完成凸点互连与填料固化,主要分为非流动(NUF)与圆片级(WLUF)两大路径。

NUF技术由佐治亚理工学院1996年首创,适配无铅C4凸点封装,将回流与固化整合为一道工序,根除孔洞隐患并提升效率,已在窄节距场景突破。安靠率先用NCP作填料,技术落地三星手机处理器封装。

WLUF技术由NUF迭代而来,通过旋涂/层压将填料覆于整片晶圆,划片后经回流/热压键合完成互连与固化,量产效能进一步提升。

NCF是WLUF主流材料,以膜状封装于PET薄膜,卷材供给适配晶圆级工艺,核心应用于40~80μm微凸点互连。

相较NCP,NCF量产效率更高、溢料可控,拓展了3D封装空间,但流动性不足易留残料影响可靠性,对凸点高度适配性差,需定制膜厚。

尽管有技术局限,NCF基WLUF仍是行业焦点。三洋、日立、陶氏、海力士、三星、安靠-高通等企业及机构深耕该技术,已导入2.5D/3D集成量产。

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