三星NAND涨价100%，存储缺口到底有多大？

电子发烧友网报道（文/黄山明）继内存价格上涨后，闪存市场也迎来暴涨行情。据韩国《电子时报》消息，三星电子计划在2026年第一季度将NAND闪存供应价格上调100%以上，这一涨幅远超市场预期，直观反映出当前存储芯片市场供需失衡的严峻态势。

多家机构分析指出，AI浪潮驱动的内存价格上涨已形成全球传导效应，并将持续影响2026年全球存储供应链及消费市场格局。

存储芯片迎来超级周期

此前，三星电子、SK海力士等存储行业头部企业，已于2026年第一季度将服务器DRAM价格上调60%-70%。据知情人士透露，三星电子已于2025年底完成与核心客户的供应合同谈判，新价格体系自2026年1月起正式落地执行。

目前，三星正与客户启动2026年第二季度NAND闪存价格的新一轮谈判，市场普遍预期涨价势头将在二季度延续。

从市场数据来看，据TrendForce（集邦咨询）报告预测，2026年第一季度DRAM合同价格环比涨幅将达55%-60%，NAND闪存合同价格环比涨幅预计为33%-38%。现货市场表现更为激进，DRAM现货价格已上涨40%-50%，部分细分市场涨幅甚至高达170%；NAND闪存价格同步走高，直接推动SSD（固态硬盘）等终端存储产品价格持续攀升。这一轮涨价趋势自2025年底开始加速，行业普遍认为或将持续至2027年。

业内人士认为，NAND价格快速飙升主要源于两大核心因素。其一，需求端持续爆发。随着全球AI基础设施投资加码，企业级固态硬盘需求呈现爆发式增长，以OpenAI为代表的AI企业已占据全球约40%的DRAM供应量。这一趋势促使三星、SK海力士、美光等头部存储厂商将产能重心向AI专用存储产品倾斜，直接挤压了消费级存储市场的供给空间。

其二，终端设备存储需求升级。移动终端与PC产品正加速搭载高性能、大容量存储方案，尤其在边缘侧AI趋势下，终端设备需具备本地AI运算能力，进一步推高了对高规格存储芯片的需求。

值得关注的是，HBM（高带宽内存）正持续抢占DRAM产能。一方面，HBM单价为普通DRAM的5-10倍，且制造工艺复杂度极高——同等规格晶圆下，HBM的产出量远低于普通DRAM。基于盈利最大化与产能优化考量，厂商自然将有限晶圆优先分配给HBM生产线。路透社将此轮行情定义为“memory super cycle（存储超级周期）”，并预判其影响将延续至2027年之后。

据Tom’s Hardware测算，2026年全球约70%的内存产能将被数据中心吞噬，剩余30%产能需覆盖PC、手机、工控设备及消费电子等多个领域，消费级市场供给压力进一步凸显。

NAND市场的紧张格局则源于前期产能调整的滞后效应。2023-2024年，闪存市场陷入严重过剩状态，价格大幅崩盘。为缓解经营压力，2025年存储厂商开始主动削减QLC及消费级NAND产能，转向企业级SSD、AI专用存储等高附加值产品。但产能收缩幅度过大，直接导致市场供给缺口快速扩大。据Tom’s Hardware数据，一款30TB企业级SSD在2025年第二季度售价约为3000美元，至2026年第一季度已暴涨至11000美元，涨幅高达257%；同期HDD（机械硬盘）价格仅上涨35%，使得同容量SSD价格达到HDD的16倍。

尽管地缘政治风险与供应链中断加剧了市场不确定性，但当前存储价格上涨的核心驱动力仍为需求端爆发。三星、SK海力士此次大幅上调NAND价格，正是基于对市场“有价无市”（需求旺盛而供给短缺）格局的精准判断。

存储缺口到底有多大？

精确量化DRAM与NAND的全球供需缺口难度较大，但从市场表现与产业链反馈可大致预判缺口规模。2025年下半年起，市场便传出存储芯片即将缺货的信号，下游企业随即启动大规模提前采购与囤货策略，进一步加剧市场紧张。

据行业人士透露，大型存储模组厂实际获取的芯片颗粒仅能满足原需求的30%-50%；出于对后续供货不足的担忧，下游企业普遍采取“现金优先囤货”策略。同时，服务器内存、企业级SSD等高价值产品成为贸易商与资金方的囤积焦点，押注原厂持续控产与价格攀升，进一步扭曲了现货市场供需关系。

从供给增速来看，2026年NAND Flash的bit供给增速预计为13%-18%，而需求增速则达18%-23%，即便在产能扩张背景下，需求端增速仍比供给端高出约5个百分点，缺口呈逐年扩大趋势。

DRAM市场的供需矛盾同样突出。据Omdia数据，2026年三星、SK海力士、美光三大DRAM厂商的晶圆总产出预计同比增长5%，达1800万片（等效12英寸）；而DRAM需求增速预计为20%-25%，供给增速仅为15%-20%，供需增速差持续扩大。

更为关键的是，北美云厂商已提前锁定长期产能——2025年底便启动2027年供货产能谈判，通过捆绑式合作锁定采购量与价格。以铠侠为例，其2025年NAND产能已全部售罄，头部云厂商几乎包揽了存储芯片的全部新增bit供给，这意味着即便产能提升，PC、手机、嵌入式设备等领域也难以获得额外供给份额。

产业链调研显示，除模组厂外，手机、PC品牌厂商2026年的存储芯片供应量仅能满足原计划的50%-70%；而AI与服务器市场的产能预售更为激进，2026年HBM内存产能已提前售罄。

供给短缺直接推高终端产品成本。有PC OEM厂商表示，内存成本在整机BOM（物料清单）中的占比已从过去的15%-18%攀升至35%-40%。NAND领域，消费级产能收缩与企业级需求饱满形成鲜明对比，目前数据中心SSD交期普遍延长至6-9个月，部分型号甚至排至2027年。IDC明确判断，此次闪存供应紧张至少将持续至2027年。

摩根士丹利（大摩）分析认为，存储成本高企将迫使多数OEM厂商在2026年上半年大幅上调终端产品价格，进而导致安卓手机与Windows PC全年出货量下滑；同时，硬盘供应短缺将进一步加剧，未来12个月全球存储市场供需缺口或扩大至200EB。

这一轮存储超级周期的终结时间尚未明确。一方面，HBM产能扩张周期漫长，新产线从投建到量产需18-24个月，短期内难以缓解高端内存供给压力；另一方面，AI需求尚未出现减速迹象，尽管美国业界存在“AI泡沫”的警示，但当前需求增长动能仍较强劲。

总结

本轮内存与闪存价格暴涨，本质是AI基建扩张吞噬新增产能、原厂主动控产与结构性供给调整、渠道商恐慌性囤货三重因素叠加导致的结构性短缺。行业普遍预期，这一轮存储超级周期将持续至2027年，存储芯片价格中枢将整体上移，但涨价幅度有望在后续季度逐步趋缓。

三星NAND涨价100%，存储缺口到底有多大？图1