2月3日，英诺赛科在官网发布《有关与谷歌公司重大业务进展的公告》：公司旗下氮化镓相关产品已成功完成在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并正式签订合规供货协议。
图片来源：英诺赛科公告截图
作为全球氮化镓领域的头部企业，英诺赛科此次与谷歌的合作，聚焦于AI服务器、数据中心等高增长潜力领域。根据公告内容，英诺赛科将基于当前项目开发与客户对接进展，积极与产业链合作伙伴深化协作，合规推进相关产品的商业化落地，充分满足谷歌在AI硬件领域的供应链需求，以及全球算力市场对高性能、高可靠性氮化镓产品的迫切需求。
据英诺赛科官网介绍，英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基氮化镓大规模量产的IDM企业，其苏州工厂8英寸氮化镓晶圆月产能达1.5万片、良率稳定在97%。旗下氮化镓产品可实现服务器电源功率密度提升50%、系统元件减少60%，En-FCLGA封装导热率优化65%，100V级方案降低系统功耗超50%。
2025年年底，英诺赛科宣布氮化镓（GaN）功率芯片累计出货量已达20亿颗。
英诺赛科的合作版图与算力布局
在全球产业链布局上，英诺赛科已与多家国际知名企业达成深度合作，合作领域覆盖AI算力、半导体制造、汽车电子、工业电源等核心赛道。
2025年4月，英诺赛科公告称与意法半导体签署氮化镓技术开发与制造协议，双方开展氮化镓功率技术联合开发，并实现产能资源互补。根据协议，英诺赛科可借助意法半导体欧洲制造产能，意法半导体可依托英诺赛科中国产能，共同拓展AI数据中心、汽车电子等领域市场，提升双方供应链韧性与全球供应能力。
同年11月，英诺赛科宣布其提供的700V GaN晶圆具备优异的电气性能和可靠性，助力意法半导体推出了一系列基于氮化镓（GaN）技术的反激式电源集成器件VIPerGaN50W。
2025年10月，英伟达在官网更新了其800V系统的供应商名单，英诺赛科成为了唯一一家进入合作名单的中国本土功率半导体企业。
与英伟达的合作聚焦AI数据中心高端供电架构，双方联合推动800伏直流电源架构规模化落地，英诺赛科提供覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案，助力AI数据中心实现从千瓦级到兆瓦级的算力飞跃，适配英伟达新一代兆瓦级计算基础设施的高效供电需求。
此外，英诺赛科还发表《英诺赛科利用全GaN技术推进800VDC架构》论文，系统阐述全GaN技术与800VDC架构的适配逻辑，为双方合作提供了坚实的技术支撑，也为全球该领域产业化推进提供了可借鉴的技术路径。
2025年12月，英诺赛科宣布与安森美签署战略合作谅解备忘录，整合英诺赛科成熟的200毫米氮化镓硅基工艺与安森美在系统集成、封装领域的专业能力，重点布局40-200V中低压氮化镓功率器件，合作覆盖工业、汽车、电信基础设施、AI数据中心等多场景，计划2026年上半年推出样品，共同推动氮化镓产品的规模化量产与市场普及。
AI算力驱动氮化镓产业，重构全球竞争新格局
在AI算力持续向兆瓦级跃升、数据中心加速向800VDC架构迭代的背景下，英诺赛科凭借8英寸硅基氮化镓的量产优势，先后切入英伟达、谷歌的高端供应链。
根据英诺赛科2025年年中财报，报告期内，他们面向AI及数据中心的销售同比增长180%，基于100V氮化镓的48-12V应用进入量产，并开始规模化交付。
氮化镓作为高效能功率器件，已成为AI服务器、数据中心实现功耗优化与算力升级的核心支撑，也打开了行业从消费电子向高端算力基础设施渗透的增长空间。
同时，英诺赛科通过与意法半导体、安森美的技术协同与产能互补，持续完善氮化镓全产业链布局，其商业化进展不仅推动了国产氮化镓在全球高端市场的渗透率提升，更重塑了行业竞争格局。
未来，随着全球算力需求的持续释放，英诺赛科的AI及数据中心业务将持续扩容，而氮化镓行业也将在高端场景的规模化应用中，迎来技术迭代与产业升级的全新阶段。（文章来源：集邦化合物半导体）
