据上海松江官方消息，位于上海松江综保区的尼西半导体科技（上海）有限公司已正式建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线，标志着我国在功率半导体超薄晶圆制造及先进封装领域实现关键突破，填补了国内相关技术与产能空白。
据悉，该生产线整合了晶圆键合、研磨减薄、激光切割、封装测试全流程，是全球首个实现35微米功率半导体超薄晶圆规模化量产的一体化产线，由尼西半导体主导建设，作为美商万国半导体（AOS）在华核心生产基地的重要升级项目，实现了从晶圆加工到成品测试的全链条高效协同生产。
35微米超薄晶圆的厚度仅为普通头发丝直径的一半，加工难度极大。当晶圆厚度降至50微米以下时，晶圆易脆易损，这对加工精度、应力控制等核心技术提出了严苛要求。通过与设备供应商联合攻关，该产线成功将晶圆加工精度控制在35±1.5微米，采用化学腐蚀工艺消除92%的研磨应力损伤，将碎片率控制在0.1%以内；切割环节采用定制化激光技术替代传统刀片，大幅缩小热影响区，切割良率达到98.5%，攻克了超薄晶圆加工的行业核心难题。
产线配备全套专用生产设备，其中键合机对位误差控制在120微米以内，单日产能约400片；研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米；激光切割机切缝宽度仅11微米，相较传统刀片切割，可使芯片有效面积利用率提高约10%；测试环节单日产出可达12万颗成品，具备规模化商业化生产能力。值得关注的是，产线中的键合、研磨、切割及解键合等核心装备，均由尼西半导体与国内设备厂商联合研发，实现了核心装备自主可控，填补了国内相关制造领域的应用空白。
该产线的建成投产，将大幅降低功率芯片的导通电阻与热阻，使载流子通行时间缩短40%，热阻较传统100微米标准晶圆下降60%，配合双面散热封装设计，可使模块热阻再降30%，功率循环寿命提升5倍，显著提升功率器件的能效与散热性能，主要面向新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景，为国产功率器件进入高压平台、快充等市场提供量产支撑。
上海松江官方相关信息显示，该产线的落地不仅打破了国外在超薄晶圆领域的长期技术垄断，更实现了国产先进封装工艺的跨越式升级，成为我国半导体产业攻坚高端领域的关键里程碑，将加速国产高端功率芯片替代进程，为国内半导体产业高质量发展注入强劲动力。
公开资料显示，尼西半导体科技（上海）有限公司成立于2007年，是美商万国半导体（AOS）在中国设立的主要半导体生产基地之一，由万国半导体（香港）股份有限公司全资控股，此次产线建成将进一步强化其在功率半导体制造领域的核心竞争力。（文章来源：集邦化合物半导体）
