【区角快讯】据2月9日披露的消息，三星电子计划于本月下旬、即农历新年假期（2026年2月17日为正月初一）结束后，正式启动向英伟达批量交付第六代高带宽存储芯片HBM4。此举标志着HBM4在全球范围内首次实现大规模量产与商业出货。
业内知情人士指出，三星已全面完成英伟达对HBM4芯片的全部认证流程，其交付节奏精准契合后者新一代人工智能加速器的发布安排，其中明确包含Vera Rubin计算平台。按照规划，英伟达将在3月16日至19日举行的GTC 2026大会上，首次公开展示集成三星HBM4的Vera Rubin系统。
英伟达首席执行官黄仁勋曾在上月CES 2026展会期间透露，Vera Rubin平台现已全面进入生产阶段。市场因此普遍预期该平台将于2026年下半年正式面世，而三星HBM4的如期供货被视为确保其顺利落地的关键支撑。
技术参数方面，三星此次量产的HBM4在性能上显著超越现行行业基准。其DRAM单元采用1c工艺——即第六代10nm级DRAM制程，基板逻辑芯片则基于4nm代工工艺打造，二者协同促成芯片整体性能的跃升。具体而言，该芯片数据传输速率可达11.7Gbps，较JEDEC制定的8Gbps标准高出约37%，亦比前代HBM3E的9.6Gbps提升22%；单堆栈带宽高达3TB/s，为上一代产品的2.4倍。
在容量配置上，当前12层堆叠结构可提供36GB存储空间，未来若升级至16层堆叠，容量将进一步扩展至48GB。高带宽存储（HBM）作为专为AI加速器与高性能计算设备设计的核心组件，主要解决算力激增所引发的内存带宽瓶颈问题，已成为大模型训练、自动驾驶等尖端应用不可或缺的硬件基础。
随着全球AI算力需求持续爆发，HBM市场正经历高速增长。此次HBM4实现规模化量产，不仅加速了存储技术的代际演进，也为下一代AI计算平台的性能突破提供了坚实支撑。
