SK海力士将于本月底开始在美国印第安纳州启动其先进封装工厂的全面基础建设工作。随着人工智能（AI）芯片领域的竞争转向先进封装领域的竞争，该公司计划加快工厂建设，以满足市场对高带宽存储器（HBM）的中长期需求。
据业内人士2月9日透露，SK海力士将于2月23日起在位于印第安纳州西拉法叶的先进半导体芯片制造厂施工现场安装围栏，并开始前期施工工作。该公司计划从3月2日起启动主体施工的准备工作，包括场地平整和土木工程。
SK海力士正在印第安纳州建设一座先进封装工厂，预计于2028年投产。投资额为40.9亿美元。上月底，SK海力士已向西拉法叶市政府申请了包括办公楼、中央公用设施大楼（CUB）和半导体工厂在内的设施地基施工许可证。
随着相关地基工程许可证的陆续发放，施工进度预计加快。由于地基工程通常紧随其后进入主体施工阶段，业内人士预计印第安纳州包装厂的破土动工将于今年上半年开始。SK海力士一位负责人解释说：“项目正按计划推进，目标是在2028年投入运营。”
SK海力士计划将该工厂用作下一代HBM封装工厂。SK海力士计划逐步量产下一代HBM，首先从今年量产第六代HBM（HBM4）开始。该公司在HBM市场占据主导地位，预计今年将为NVIDIA的下一代AI加速器“Vera Rubin”供应约70%的HBM4。
先进封装技术属于HBM生产的后端工艺，是决定HBM良率和性能的核心技术。随着人工智能技术的飞速发展，封装技术的重要性日益凸显。因此，三星电子和SK海力士等存储半导体公司正致力于提升自身的封装能力。
SK海力士不仅在美国印第安纳州，也在韩国国内拓展其封装生产基地。该公司计划在韩国忠清北道清州市投资19万亿韩元（约合131亿美元），建设一座新的“先进封装测试专用工厂（P&T7）”。SK海力士计划于今年4月破土动工，并于明年年底前竣工。
（来源：编译自businesskorea）
