【区角快讯】在2026年3月举行的NVIDIA GTC大会期间，SK集团会长崔泰源向媒体发出明确警示：受需求激增与产能扩张滞后双重影响，全球DRAM芯片供应紧张局面或将延续至2030年。
崔泰源分析指出，人工智能算力的迅猛扩张正强力拉动高带宽内存（HBM）的需求，而每颗HBM的制造需耗费大量DRAM晶圆，进一步加剧了基础晶圆资源的紧缺。他强调，从启动新产能投资到实际量产，整个周期至少需要四到五年，且无论是在韩国本土还是海外设厂，这一时间窗口均难以压缩。
据其透露，当前基础DRAM晶圆的供应缺口预计将长期维持在20%以上。为应对价格波动风险，SK海力士正筹备一项专门用于稳定DRAM市场价格的措施，具体方案将由公司首席执行官郭鲁正在后续正式公布。
崔泰源特别澄清，尽管HBM利润丰厚，但SK海力士不会因此削减通用DRAM的产能投入。他警告称，若过度向HBM倾斜资源，智能手机、笔记本电脑等依赖标准DRAM的成熟产业将面临严重供应冲击。
谈及中国存储产业的发展态势，崔泰源表示：“我注意到中国市场同样面临存储芯片短缺，但在此背景下仍能向海外出口产品，这一点令人印象深刻，或许标志着新的竞争力量正在崛起。”
值得注意的是，另一家韩国存储巨头三星对行业前景持更为谨慎态度。其内部评估认为，当前由AI驱动的繁荣周期可能仅持续一至两年，市场供需格局或将在2028年前后发生显著转折。
在全球AI基础设施加速部署的背景下，存储芯片已从配套元件升级为战略资源，产能布局的长期性与需求爆发的即时性之间的矛盾，正成为半导体产业链最严峻的结构性挑战。
