【区角快讯】当全球AI算力竞赛陷入“内存墙”困境之际，一场关于下一代存储标准的博弈正在悄然升温。4月25日，英特尔株式会社与软银旗下SAIMEMORY联合披露，日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）已正式选定ZAM作为下一代内存标准。这一被视为高带宽存储器（HBM）潜在替代方案的技术，将获得日本政府专项补贴，从而全面提速为期3.5年的研发进程。
ZAM，全称Z-Angle Memory（Z角内存），是英特尔时隔数十年后再度亮出的自研内存利剑。其核心卖点在于超高密度、超大带宽以及超低功耗这三大维度。数据显示，相比传统内存架构，ZAM的功耗降幅可达40%至50%，且因架构设计大幅简化，量产门槛显著降低，单颗芯片容量最高竟能触及512GB。
从技术底层看，ZAM采用了独特的Z角互连架构。它将多颗DRAM存储芯片紧密堆叠，并通过专属互连技术打通脉络。整个内存堆叠模组借助基底芯片下方的EMIB嵌入式多芯片互连桥，实现了与CPU、GPU等核心计算单元的高效对接。该项目最早于今年2月浮出水面，由英特尔与软银联手操刀，旨在破解全球持续发酵的内存资源危机，缓解人工智能及高性能计算领域普遍面临的硬件瓶颈。
现阶段，ZAM正加速整合日本乃至全球的研发、制造与供应链资源，为后续规模化落地铺路。英特尔日本总裁大野诚坦言，多年来英特尔联合美国能源部国家实验室及新一代DRAM键合计划，反复验证了ZAM的底层科学原理。此次获得日本官方扶持，不仅将推动技术快速全球化，更意在巩固美日科技合作纽带。
颇具戏剧性的是，英特尔早年曾是全球内存行业的头部玩家，后因市场份额被日本存储厂商挤压而退出赛道。如今局势反转，昔日的竞争对手正全力助力英特尔重返内存市场。这种历史性的角色互换，或许预示着半导体产业格局即将迎来新的变数。
