针对市场传言台积电暂缓采购高数值孔径极紫外光刻机（HighNA EUV），在股东会上，有股东就此发问：若台积电现阶段放弃布局该设备，会不会重演早年英特尔搁置 EUV 投入、最终制程发展滞后的前车之鉴，同时质疑管理层是否对自身技术实力过于自负。

台积电董事长魏哲家当场出面辟谣澄清：相关设备公司早已完成采购。他补充说明，台积电当前正依托这批设备推进多项技术研发，之所以暂未把 HighNA EUV 投入生产线量产，核心考量出于成本管控。

魏哲家进一步说明，由于High-NA EUV 目前的生产成本仍稍嫌偏高，台积电的策略是持续优化其生产力并设法降低成本。公司会尽量发挥该设备的优势，待时机成熟后，就会正式进入生产线。他更幽默地补充，公司不仅没有不投资，实际上已经买了，而且买几台就不好意思讲，展现出台积电在先进制程布局上稳健且胸有成竹的态度。

High-NA EUV 是目前半导体制造领域最先进的光刻技术，由荷兰ASML公司主导开发。它在传统EUV（极紫外光刻，波长13.5nm）的基础上，将数值孔径（NA）从0.33大幅提升至0.55，通过更高的光收集能力和非对称光学系统，显著提高了成像分辨率，可实现约8nm甚至更小的关键尺寸，从而支持2nm、1.4nm及未来更先进制程的芯片量产。High-NA EUV 的核心优势在于能让晶体管结构更加密集、性能更强，主要用于高性能AI芯片、先进逻辑芯片和高带宽内存的生产，不过其设备体积庞大、价格高达3-4亿美元，也带来了更高的技术复杂度和成本挑战，是延续摩尔定律、推动半导体行业进入埃米时代的关键利器。