从HBM到NAND：存储芯片供需趋紧，厂商集体预警

人工智能算力需求的爆发式增长，正深刻重塑全球存储芯片市场的供需格局。从高带宽内存（HBM）到NAND闪存，各细分领域均面临供不应求的长期压力，多家头部厂商近期密集释放信号：产能瓶颈或将持续，行业正进入结构性短缺的新周期。

SK集团董事长崔泰源在2026年6月2日的Computex展会上明确表示，旗下存储芯片子公司SK海力士计划在未来五年内将晶圆产能扩大一倍。

他指出，存储芯片的产能瓶颈问题可能持续到2030年，扩产是应对人工智能领域对HBM等产品强劲需求的必然选择。关于具体投资规模，崔泰源并未给出确切数字——土地、设备与电力等成本仍在动态变化，但他确认2026年的资本支出将大幅超越2025年的30.2万亿韩元（约200亿美元），同时SK海力士已申请在纽约发行美国存托凭证（ADR）。

业界认为，SK海力士产能规划将重点围绕AI驱动的HBM需求展开。据业界传出的消息，SK海力士清州M15X工厂于2026年2月启动HBM4配套晶圆量产，初期月产能约1万片，年底爬坡至5.5万至6万片；龙仁集群首座工厂及洁净室工程稳步推进，首个洁净室计划于2027年2月启用，与50多家材料、零部件与设备（MCE）企业形成协同生态。2024至2026年资本开支显著增加，重点用于HBM相关设备采购、洁净室建设及先进封装能力提升，包括极紫外光刻设备等尖端技术投入。

日本NAND闪存大厂铠侠也开始酝酿新一轮扩产。据日经新闻6月3日报道，铠侠社长太田裕雄在6月2日的业绩说明会上透露，关于在北上工厂兴建新厂房“已开始启动相关评估”，目标在2029–2030年以后投产，以应对旺盛的市场需求。

目前铠侠主要利用四日市工厂和北上工厂生产NAND闪存，其中北上工厂已有2座厂房。太田裕雄指出，AI数据中心用需求正强劲扩张，NAND闪存市场活跃，这种情况将持续至2027年。

此前，铠侠已宣布2026财年设备投资额预估为4500亿日元，而在6月2日进一步表示，计划在2026–2028年度期间平均每年投入约4700亿日元。

与上述两家厂商的扩产计划相比，群联电子发出了更为强烈的警示。

近日，群联CEO潘健成指出，DRAM与NAND闪存的结构性短缺可能持续至2030年后，甚至长达十年。2025年底至2026年，部分企业可能因存储供应不足而停产或调整产品线；2026年下半年，低利润品牌可能大规模退出市场，低端存储产品面临断供风险，形成供应真空期。

潘健成表示，英伟达下一代AI基础设施（如Vera Rubin平台）可能消耗全球超20%的NAND产能，进一步挤压消费级市场。AI技术发展使得企业级存储需求持续攀升，存储厂商优先将产能分配给高利润的企业级产品，导致消费级产品供应空间被严重压缩。

群联电子数据显示，目前该公司仅能满足客户30%的需求，高达70%的缺口难以满足。潘健成直言，2026年第四季度将出现“有钱也买不到货”的极端窘境，而2027年缺货情况恐怕只会更严重。

业界认为，存储行业正站在AI需求的巨大浪潮之上，尽管短期内供需矛盾难以完全消除，但随着新产能的逐步释放和技术工艺的持续迭代，行业有望在动态调整中寻求新的平衡。

6.23（周二）

TSS2026

2026年6月23日，TrendForce集邦咨询将在深圳举办“TSS2026半导体产业高层论坛”。

届时，集邦咨询多位分析师将针对存储器产业发展现状与未来发表精彩演讲，敬请期待。