聚灿、元亨等4企公布MIP相关专利

MIP正成为LED显示极具爆发力的增量赛道之一。

《2026 COB/MIP 显示报告 (专刊) 》显示，2025年，MIP整体产能规模约在2000KK/月（其中Micro MIP实际产能约为500KK/月）；尽管当前体量尚小，但随着技术迭代完成与市场条件成熟，产能将迎来规模化释放。

在大批量产业化前夕，专利储备已成为企业突围的核心变量。

近期，聚灿光电、元亨光电、博捷芯、卓兴半导体等企业先后披露专利进展。其布局涵盖MIP封装工艺、RGB灯珠及核心设备，旨在通过技术攻关，全面提升光色稳定性、产品良率及生产效率，为即将到来的市场爆发做准备。

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■ 聚灿光电：一种防止光串扰的MiP封装结构及其制作方法

近期，聚灿光电科技（宿迁）有限公司“一种防止光串扰的MiP封装结构及其制作方法”的专利进入实质审查阶段。

该方法包括：提供承载有Micro LED芯片的透光基板，芯片设有不透光电极；在芯片电极面形成负性遮光光阻层；采用能穿透基板及芯片半导体层的光线从背面进行曝光，利用不透光电极作为自对准掩膜，使芯片间隙及芯片背部的光阻层感光固化，而电极上方光阻层保持未固化；显影去除电极上方的光阻层。

本发明通过背面曝光自对准工艺，无需高精度光刻对位即可实现电极裸露与像素间隙的高精度填充，有效阻隔了像素间的光串扰，简化了工艺流程，降低了成本并提升了良率。

■ 元亨光电：基于深度学习的MIPLED光色补偿驱动方法及装置

5月26日，深圳市元亨光电股份有限公司“基于深度学习的MIPLED光色补偿驱动方法及装置”的专利进入有效授权阶段。

本申请涉及数字信号处理技术领域。获取MIP LED阵列的实时数据，对实时数据进行预处理，生成标准数据构成的多模态的数据张量；通过构建解耦网络对数据张量进行解耦处理生成解耦分量；基于MIP LED阵列的产品数据进行伏安特性建模生成伏安特性参数，根据解耦分量和伏安特性参数，生成补偿后的驱动电压；对驱动电压以及实时数据中的驱动信号进行融合处理生成控制信号。

先获取含驱动信号等的实时数据，解耦处理分离出亮度等分量，结合硬件伏安特性生成补偿驱动电压，最后融合生成控制信号，有效提升了MIP LED阵列光色输出的稳定性、准确性和均匀性。

■ 卓兴半导体：一种MIP-RGB灯珠的制造方法

6月9日，深圳市卓兴半导体科技有限公司“一种MIP-RGB灯珠的制造方法”的专利进入审中公布阶段。

本发明包括以下步骤：S1、在钢板上贴附胶膜；S2、将RGB三色芯片按预定图案排布在所述胶膜上，其中R芯片为垂直结构正装芯片，P电极朝下，N电极朝上；G芯片和B芯片为正装芯片，P电极和N电极均位于芯片正面，采用面朝下方式放置；S3、在排片后的芯片上进行模压封装，填充深色封装胶；S4、在模压后的封装体上进行开孔露出芯片电极；S5、分别制作正面电路层和背面电路层；S6、在封装体发光面贴附光学胶；S7、将封装面板切割为独立的MIPRGB灯珠。

本发明采用模压封装后再制作电路的方式，实现了垂直结构R芯片和正装G、B芯片的混合封装，解决了不同芯片电极方向的兼容性问题。

■ 博捷芯：一种用于MIP切割的夹具

近日，博捷芯（深圳）半导体有限公司“一种用于MIP切割的夹具”的专利进入有效授权阶段。

本专利涉及半导体封装技术领域，包括基座，基座表面设有多个独立的产品位；每个产品位配置：限位销钉孔，用于插入圆柱销钉以水平限位玻璃基板；真空气道，真空气道末端连接设置在基座上的气接头安装孔，真空气道表面设均匀分布的吸附凹槽；基座上均匀设置有连接孔，通过螺丝与切割盘固定；基座设置有堵头孔，堵头孔与气接头安装孔交替分布，堵头孔通过堵头封闭。

本实用新型扩大真空吸附接触面积，使玻璃基板受力均匀，避免因局部应力集中导致的破损或位移，每个产品位真空吸附力独立可控，提升吸附可靠性，四个独立产品位集成于单一夹具，支持一次性装夹四块玻璃基板，实现产能倍增。

■ 2028年，MIP产能将集中释放

当前，MIP处于技术迭代、产能部署的成长初期，虽然整体市场体量偏小，但成长爆发力突出，是未来LED显示产业最核心的增量赛道之一。

《2026 COB/MIP显示报告（专刊）》显示，2025年MIP整体产能规模约在2000KK/月上下（其中Micro MIP实际产能约为500KK/月）；据预测，2028年将成为MIP产业关键拐点，届时行业产能迎来集中大规模释放，市场规模实现跨越式提升，达到30~40亿元层级；后续产业将维持高速增长态势，稳步扩容升级，预计2030年MIP整体市场规模将接近70亿元。