拟建新厂，存储巨头加码先进封装

据韩媒报道，三星电子正筹划在韩国西南部光州市新建一座先进半导体封装工厂，以此扩充先进封装产能，承接全球AI热潮下持续攀升的芯片订单需求。行业消息人士称，该投资计划大概率将在6月29日正式对外公布。

据了解，6月29日韩国总统将在总统办公室举办财界领袖座谈会，会议主题为“增长战略的重大转变”，三星电子董事长李在镕、SK集团董事长崔泰源等韩国头部企业负责人均会出席。不过截至目前，针对建厂传闻，三星官方暂未作出回应，韩国总统办公室也表示企业投资决策由企业自主把控。

这座新工厂将是三星电子自35年前建立温阳园区以来首个封装基地建设项目，也是该公司自11年前平泽园区启动以来首个大型半导体生产基地破土动工的项目。三星现有半导体封装产能主要集中在忠清地区的温阳、天安等地，此次选址光州，意在将封装网络拓展至湖南地区，同时规避首尔都市圈水电资源供给趋紧的问题。

当前AI产业高速发展，先进封装已成为AI芯片产业链的核心环节，高带宽内存（HBM）更是市场需求最为旺盛的产品之一。HBM依靠多层DRAM垂直堆叠工艺打造，广泛配套英伟达、AMD、谷歌等企业的AI处理器。

为提升在HBM领域的竞争力，三星持续推进技术与产能升级，今年5月已向客户送出新一代12层HBM4E样品。在现有产线方面，三星正扩容天安工厂的HBM后端封装产能，计划2026年底实现热压键合（TCB）月产能23.1万片、混合铜键合（HCB）月产能1.95万片，并规划在2029年完成HBM堆叠工艺从TCB向HCB的迭代。

除韩国本土扩产外，三星的封装测试布局同步走向海外。根据路透社披露的文件，三星计划向越南投资约15亿美元建设半导体测试工厂，项目选址在河内以北约60公里的工业园区，目前已启动施工，预计2027年11月正式投产。

上下滑动查看