充电头网获悉，芯朋微推出一款同步整流控制器PN8602。该芯片面向PD充电器、适配器等高效率反激电源应用，可协同QR-Lock控制方案，辅助原边开关管实现更优ZVS开通，从而降低高压开关管温升，提升整机效率和功率密度。当前QR反激依然是中小功率电源中常见的主流架构。相比传统QR方案，QR-Lock可有效抑制谷底跳变带来的频率抖动、噪音以及环路稳定性问题，让反激电源在更宽工况下保持稳定工作。芯朋微PN8602作为QR-Lock方案的同步整流侧配套器件，可精准检测同步整流管漏源电压，并根据系统工作状态触发第二次开关动作，生成合适的负励磁电流，帮助原边开关管实现ZVS软开通。根据实测数据，采用PN8602后，搭配集成700V GaN的原边芯片PN8783，原边芯片温升可降低30℃以上。芯朋微PN8602同步整流控制器
PN8602是芯朋微面向高性能反激电源推出的同步整流控制器，漏极耐压大于120V，输出耐压高至35V，支持3.3V-20V宽输出范围，可覆盖常见PD快充输出档位，适用于20W-140W功率段电源产品。该芯片支持自适应第一次关断阈值，可根据不同导通电阻的同步整流MOS管自动调整关断点，将死区时间控制在250ns左右。相比固定关断阈值方案，这种控制方式对MOSFET适配更灵活，也有助于降低同步整流导通损耗。PN8602的核心亮点在于智能辅助ZVS。芯片可基于同步整流管漏源电压检测，精准触发第二次开关，并自适应输入电压、输出电压及谐振周期，生成合适的负励磁电流，帮助原边开关管实现ZVS软开通。其可追踪第1至第5谐振谷底，在更宽工况范围内保持较优软开通状态。对于采用GaN器件的高频反激电源而言，这一功能可有效降低开关损耗，改善温升表现。根据实测数据，在输入264VAC、输出20V3.25A条件下，对采用PN8602的ZVS同步整流方案与普通同步整流芯片PN8601方案进行30分钟温升对比，PN8602方案可使原边PN8783集成700V GaN芯片温升降低30℃以上。人为进行参数拉偏(RT电阻)给出的直通保护波形，可以看到系统在100ns将副边SR MOS关闭
此外，PN8602还具备极速防直通保护能力。当外部异常导致原副边存在直通风险时，芯片可在100ns内快速响应并关闭副边同步整流MOS，有效防止电源损坏，提升整机运行可靠性。充电头网还了解到，芯朋微此前已推出零电压开通65W GaN快充应用方案，该方案采用PN8216+PN8602+AP5806组合，支持QR-Lock控制、ZVS模式及多协议输出，可在降低损耗的同时提升系统效率与稳定性。
充电头网总结
芯朋微PN8602通过副边同步整流控制进一步配合原边实现ZVS软开通，在效率、温升和可靠性上同步优化。对于PD充电器和适配器厂商而言，原边GaN温升降低30℃以上，意味着产品在小型化设计、散热设计和功率密度提升方面拥有更大空间。
