
6月12日,三孚新科在广州三孚新科总部举办「智造未来·共赢AI新时代|mSAP制程及玻璃基板表面工程解决方案交流会」,本次交流会围绕AI算力背景下的mSAP制程、玻璃基板表面工程、高端电镀装备等方向展开。
随着AI算力芯片与线路板制造工艺需求向更细线路、更高集成度的方向演进,mSAP制程与玻璃基板成为产业技术突破的关键路径。在这两大前沿方向上,三孚新科已提前完成关键技术积累和产业化布局。
mSAP及AI配套电子化学品
三孚新科董事夏海系统阐述了mSAP制程的工艺原理及公司配套电子化学品的研发及产业化进展。

依托皓悦新材水平沉铜、博泉化学显影、蚀刻、电镀化学品与明毅电子VCP电镀设备的深度协同,三孚新科构建了业内少有的「化学品+设备」一体化mSAP方案体系,形成差异化竞争壁垒,可精准匹配客户高端化生产需求。其中,部分制程专用化学品已率先在头部PCB客户端实现上线应用。
高密度封装玻璃基板挑战及其解决方案
交流会上,佛智芯董事长崔成强分享了玻璃基板表面工程的最新技术成果。他指出,玻璃基板是下一代先进封装的核心载体,而TGV工艺正是制约规模化量产的关键瓶颈。目前,崔教授团队在该领域取得重要突破,为先进封装提供了新的技术和产业化路径。

在玻璃基板的技术与产业化布局层面,三孚新科联手佛智芯与明毅电子,围绕玻璃基板领域开展全面合作,并于2024年签订战略合作协议,三方发挥各自在表面处理化学品、基板制造与专用设备研发领域的领先优势,共同推进玻璃基板关键工艺的产业化攻关。
崔教授在报告中提到,佛智芯玻璃基板计划于2027年实现量产,填孔专用化学品及电镀设备在玻璃基板制造成本中占比较高,并在佛智芯的制造工艺中发挥着极为重要的作用。
「佛智芯玻璃基板核心参数」
• 板面尺寸:510*515mm;厚度范围:0.3 - 2.0mm
• TGV刻蚀:孔径≥3 μm、深径比≤150 : 1
• TGV金属化:深径比≤10:1
• 金属化结合强度可达10N/cm以上
• 自主开发关键设备和药水配方,针对不同玻璃型号及产品需求提供多种可选的解决方案
• 现有产能:3000pnl/月以上
另外佛智芯在6月2日的文章中提到,佛智芯聚焦玻璃基板国产化与规模化应用,攻克多项行业卡脖子难题。公司现已建成510mm×515mm大尺寸高密度玻璃基板专用产线,自主研发高纵深比TGV玻璃通孔技术,实现玻璃微孔加工最小孔径3μm、玻璃表面金属结合力≥10N/cm、通孔深径比≥20:1,技术水准达到国际先进水平。完成高深径比通孔金属化填充、多层玻璃堆叠、高精度高效切割等核心工艺开发,掌握玻璃基板全流程制造工艺,具备稳定商业化量产能力。

PCB及HVLP铜箔电镀设备技术
明毅电子销售总监张大强在交流会上重点分享了明毅电子在mSAP及玻璃基板领域设备产品的核心优势。

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序号 | 初拟议题 |
1 | 玻璃通孔(TGV)技术发展现状与产业化进程回顾 |
2 | 激光诱导刻蚀(LIDE)在TGV通孔加工中的最新突破 |
3 | 高深宽比TGV通孔金属化填充工艺挑战与解决方案 |
4 | 先进PVD(HIPIMS/FCVA)在TGV种子层沉积中的应用进展 |
5 | 面板级封装(PLP)与玻璃基板的协同发展路径 |
6 | TGV玻璃基板翘曲控制与大尺寸封装可靠性研究 |
7 | 铜浆料直填技术:TGV金属化的新路线与产业化前景 |
8 | TGV制程中的检测挑战与在线全检技术方案 |
9 | 临时键合与解键合技术在超薄玻璃基板加工中的应用 |
10 | 玻璃材料创新:低CTE匹配、激光改性响应优化及大尺寸面板开发 |
11 | 全球TGV设备(激光钻孔、镀膜、电镀、检测设备)国产化进展 |
12 | 半导体玻璃基板材料与化学品的国产替代进程 |
13 | AI算力芯片对玻璃基板封装的需求与技术匹配分析 |
14 | 共封装光学(CPO)技术趋势与TGV玻璃基板的关键作用 |
15 | 射频前端模组中的TGV集成无源器件(IPD)应用案例 |
16 | Mini/Micro LED显示玻璃基板的量产实践与市场前景 |
17 | 玻璃基板在汽车电子(激光雷达、MEMS)中的应用探索 |
18 | 晶圆厂、封测厂与TGV制造企业的协同创新模式 |
19 | 从技术验证到规模量产:TGV玻璃基板良率提升与成本控制策略 |
20 | 玻璃基板时代:全球竞争格局与中国产业链机遇 |
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