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2026年VLSI超大规模集成电路国际研讨会期间，英特尔代工对外发布Intel 18A-P制程最新进展，同步披露多项面向中长期产业落地的前沿技术研发成果，其中300mm晶圆氮化镓功率器件与硅逻辑单片集成方案成为电源半导体赛道重要看点。
据 官方披露，Intel 18A-P为18A工艺家族首款性能增强迭代节点，目前已进入风险试产阶段。对比基准18A工艺，该节点可实现同等功耗下性能提升9%，同等性能下功耗降低18%；依托全新Power Boost能效增强方案，芯片热阻下降20%-40%，层间过孔电阻降低10%-30%，同时完全兼容18A原有设计规则，客户可直接复用成熟IP与设计流程。
除先进逻辑制程升级外，英特尔代工在本次大会集中展出三大长线研发方向，分别为单片式CFET垂直晶体管、减成法钌互连工艺，以及氮化镓与硅基逻辑单片集成技术。
英特尔官方明确，团队已完成300mm大尺寸硅基晶圆氮化镓单片集成工艺验证，在同一片晶圆内同步制备氮化镓功率器件与硅基数字控制电路，片内集成规模约1000个逻辑门的完整控制模块。官方通稿表述，该单片集成方案能够让高效率功率器件与大规模数字控制单元在同一套制造工艺协同实现，从芯片底层减少分立器件组合带来的外部布线、封装层级，直接降低终端电源系统整体架构复杂度。
英特尔同步披露该氮化镓集成方案配套超薄衬底工艺，硅基底厚度可减至19微米，缩短载流子传导路径，降低寄生电阻损耗，同时优化器件散热能力，氮化镓开关速度、高压耐受指标均保持稳定一致性，整片300mm晶圆器件性能均匀度满足量产研发标准。
传统电源方案多采用氮化镓功率芯片搭配独立CMOS控制芯片分立封装，两类器件分属不同产线制造，系统互连损耗、延迟、体积均存在固有短板，英特尔单片集成路线实现功率、控制电路同源制造。
从氮化镓产业维度来看，本次英特尔在300mm产线完成异质集成验证，补齐氮化镓规模化制造关键环节。当前全球氮化镓器件量产多基于200mm及以下晶圆，300mm产线可大幅摊薄单片制造成本；而功率与控制单片整合，解决行业长期分立设计痛点。官方资料显示，该技术面向AI服务器电源、车载电源适配器、工业工控电源等场景，可缩小电源模组体积、提升转换效率。
来源：集邦化合物半导体
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