核心业务定位：整合了碳化硅（SiC）芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试的车规级 SiC IDM 企业。应用端市场主要为可再生能源与工业应用（50%-72%），汽车电子（28%-50%   ）。

上市时间节点：

招股时间：2026年6月29日至7月3日

定价公布：预计于7月7日前后确定最终发行价

正式挂牌：预计于2026年7月8日上午九时开始在联交所买卖 

IPO募集资金与投向：本次IPO募集资金总量未公开。核心资金投向为：约60%用于未来四年内扩大晶圆及模块的生产能力（如深圳、无锡及中山产线）并购买升级生产设备；未来五年内进行新一代碳化硅产品的研发与技术创新；未来五年内拓展全球分销网络；以及补充营运资金。

二、国产车规器件IDM上市公司的财务量化分析与对比

注：此处只提取了各公司车规功率器件相关板块的营收，报告期内，三安光电旗下的湖南三安+安意法两个主要产能基地还在建设中，客户端尚在技术验证阶段，营收规模很小。

三、国产车规器件IDM上市公司的基本面对比

1．士兰微

公司简介： 本土代表性综合性IDM半导体企业，拥有完整设计制造平台，SiC业务以垂直一体化模式运转。

核心技术： 大IDM自研，逐步覆盖车规自研SiC芯片，8英寸SiC产线一期项目已通线，2026-2028逐步爬坡，最终年产能可达42万片。

主要产品： 功率半导体、分立器件（含IGBT和SiC模块/器件）、IPM模块、加速度及惯性传感器。

主要应用市场： 汽车、光伏、白电、工业领域。

市场竞争力： 依托8英寸晶圆双倍芯片产出及工艺改良，正加速平衡车规级SiC成本，成本控制能力极强。

主要客户群体： 国内一线白电巨头、主流新能源车企（如广汽、吉利）及头部光伏逆变器客户。

2．时代电气

公司简介： 中车集团控股的平台型领军企业，中国最早、实力最强的重载高压功率半导体研发和制造基地。

核心技术： 重型IDM闭环自研，外购比例极低，8英寸SiC MOSFET产线已量产，实现中低压领域功率器件国产化替代。

主要产品： 中低压功率器件、SiC MOSFET类芯片及作为基本盘的轨道交通装备。

主要应用市场： 轨道交通、新能源汽车电驱、光风储逆变器及非轨交新兴装备。

市场竞争力： 轨交基本盘提供充沛现金流支撑，实现芯片内部闭环消化，极大保障了产能利用率下限。

主要客户群体： 内部主驱电控系统消化为主，并与全球领先电源厂商建立全方位深度绑定的战略合作。

3．斯达半导

公司简介： 中国车规级功率半导体模块市场领跑者，2025年初步完成了从器件设计与模块封装向自研芯片IDM模式的转型，还在转型阵痛期。

核心技术： 自主研发第二代车规级SiC MOSFET芯片，覆盖多电压平台，自建6英寸SiC产线且良率达国际领先水平。

主要产品： 车规级IGBT模块、SiC MOSFET模块及单管、三电平混合SiC模块方案、车规级GaN驱动模块。

主要应用市场： 新能源乘用车及商用车主电驱、光伏储能系统、商业航空及AI服务器电源。

市场竞争力： 传统车规级IGBT模块市占率居前，并在新兴赛道具备前瞻性布局优势。

主要客户群体： 国内外多个新能源乘用车及商用车品牌，欧洲一线品牌Tier 1供应商。

4．三安光电

公司简介： 国内化合物半导体绝对龙头，少有的实现全流程自主闭环的碳化硅全产业链垂直整合制造平台。目前湖南三安及安意法两个主产能基地，正在激进的建设阶段，尚未完全达产。

核心技术： 材料端及中大尺寸晶圆工艺拥有显著壁垒，8英寸配套材料产能全线跑通并完成12英寸衬底工程样品开发。

主要产品： 高品质碳化硅衬底、SiC外延及芯片。

主要应用市场： 新能源汽车、数据中心、光伏储能等领域。

市场竞争力： 全产业链高度闭环，通过与ST合资模式切入全球顶级汽车品牌供应链，绕过了国产芯片自建车企信任链的漫长周期。成本控制能力极强。

主要客户群体： 通过严苛验证的国际大客户，以及国内新势力车企（如理想汽车）。数据中心及 AI服务器电源领域，已向长城、维谛技术、伟创力、台达、光宝等头部客户实现量产。白色家电领域，在美的、格力 2-3 匹空调项目已实现量产。

5．基本半导体

公司简介： 国内首批SiC功率模块量产上车的厂商之一，Fabless转型为IDM的代表性厂商。

核心技术： 掌握芯片设计到驱动测试的核心链条，具备国内一流的高温高可靠性双面散热汽车功率模块封装工艺 。

主要产品： 车规级大功率SiC模块、半桥/全桥智能模块等中高端组合 。

主要应用市场： 新能源汽车主电机电控、高压OBC、DC-DC转换器及大功率直流超级充电桩 。

市场竞争力： 具备极佳车规级设计柔性与快速响应服务能力,栅极驱动芯片产品竞争力强，毛利率极高。

主要客户群体： 多家主流新能源车企、Tier 1电控系统厂商及高压充电桩头部设备供应商 。

四、镜像参考公司—设计到IDM模式转型厂商的对比分析

从Fabless模式向IDM模式转型的国产功率半导体厂商中，瞻芯电子、基本半导体、斯达半导体三家可以作为镜像参考对象。

1．瞻芯电子：产能扩张与资本输血并行

在2022年建成国内首条车规级SiC晶圆厂后，瞻芯电子于2025年7月正式启用了义乌晶圆厂二期扩建洁净间。其月产量正逐步向1万片（6英寸晶圆）增加，远期规划产能为30万片/年。

财务与经营动态

注：瞻芯电子目前没上市，并无官方详细财报。数据来源于公开资料。

营收端：受大客户策略及产能释放推动，2025年上半年公司营收同比大涨114%。

资本端：2025年1月，公司宣布完成近10亿元的C轮首批融资。在盈利数据保密的情况下，这笔巨额融资侧面印证了在重资产的 IDM 转型期，厂商必须高度依赖外部资金输血来对抗产线建设和前期运营的“烧钱”速度。

2．基本半导体：深陷重资产阵痛，但毛利现拐点

2021年开始从Fabless向IDM转型，2022年完成无锡的封装产线投产，2024年完成深圳的晶圆制造产线投产，目前2026年处于产能扩张期。整体体量在IDM厂商里还偏小，尚未能利用规模效应摊薄成本，还处于转型阵痛期。

营收与盈亏：持续亏损，招股书披露其2023至2025年营收分别为2.21亿、2.99亿、3.11亿元。收入增速在2025年放缓至4.1%，而2025年净亏损则扩大至 -3.35亿元。

毛利率承压原因：无锡模块线与深圳晶圆厂两大重资产投产后，高额的固定资产折旧直接压垮了初期的毛利率。此外，还有行业价格战与极低产能利用率的影响因素在内。这些因素导致其2023-2025整体负毛利（-59.6% 至 -10.9%）、分立器件单件成本严重倒挂。

盈利等待期拐点：招股书最新数据显示，随着晶圆产线良率提升、产能利用率爬坡，以及高毛利的栅极驱动芯片的持续对冲，2025年下半年，基本半导体整体业务综合毛利率已成功转正。这是熬过 IDM 早期死亡谷的一个重要信号。

3．斯达半导：老牌巨头的“基本盘反哺”与利润承压

2020年底启动SiC模组产业化项目，2021年进军SiC晶圆制造，2025年完成IDM闭环，并进行封测产能扩张，2026面临折旧压力，财务承压。

最新财务情况：根据最新披露的2025年报，斯达半导全年实现营业收入40.12亿元（同比增长18.34%）；但归母净利润下滑至4.05亿元（同比下降20.18%），扣非净利润为3.77亿元。

现金流表现：2025年经营活动产生的现金流量净额为5.95亿元，同比大幅下降38.21%。

财务镜像分析：作为已上市的行业龙头，斯达半导拥有更强大的自我造血能力，依靠成熟的 IGBT 业务作为“现金牛”，成功反哺了 SiC 模块和自建芯片产线的巨额支出，维持了数亿元的正向盈利。然而，2025年“增收不增利”且现金流下滑的财报表现，清晰地反映了行业现状：哪怕是头部企业，在面对车规级 SiC 产线庞大的折旧摊销，叠加国内激烈的价格战时，利润空间依然会被显著挤压。

4．应用端策略

瞻芯电子：实施大工业全门类渗透与车规系统级Tier 1。在工业与车规级均形成布局，通过联合汽车电子等打入车规供应链，并获联合电子“2025年度至臻匠心奖”。

基本半导体：高度依赖产业资本利益纽带直达整车厂。通过引入广汽智行、博世创投、中车青岛、闻泰科技等作为战投，直接切入整车厂前装主控。截至2025年12月31日，其碳化硅模块已应用于超14万辆汽车。

斯达半导：成熟客群的横向迁移。依托其在新能源汽车IGBT主控领域的极高市占率，快速将自主设计的SiC芯片导入现有封装产线完成量产替代，2022年即实现国内首个800V高压SiC主驱模块批量装车。

5．IDM转型的核心挑战与代价 

·天价产能折旧吞噬毛利率：自建产线的极高设备折旧率在市场导入期会形成沉重负担。

·车规认证周期长：车规级SiC器件从流片到通过验证及整车路试，通常需要1至2年的漫长周期及数百万资金投入。这一时间差导致新建的高额资产产线极易空转并持续产生折旧，侵蚀账面毛利率。

·DTCO（设计工艺协同优化）的技术坎坷：自建产线初期，需要经历痛苦的设计-工艺协同开发与迭代，时间和经济成本很高，投入大，这也是转型期必须跨越的工程技术壁垒。

五、基本半导体的优劣势分析与未来预测

优势

• 产品早已通过车规认证，且量产上车，经过大量验证，具有客户信任背书。

• 产业资本绑定保底：广汽智行、博世创投、中车青岛、闻泰科技等作为战投入资，订单方面的担忧较低。

• 其最大应用市场，已从汽车电子切换至可再生能源与工业。目前国内新能源汽车渗透率已超50%，未来会面临增长降速的问题，但SiC器件在能源与工业的渗透率还较低（2025年，光伏储能约10%，智能电网约4%），整体市场的增长和汽车电子不同，不受人口总量与消费能力限制，确定性更高，且通常而言，产品毛利率比汽车电子更高，是未来最重要的增量市场。

劣势

最重要的劣势来源于产业中观与宏观层面。

• 基本半导体的无锡和深圳新厂的产能利用率较低，重资产折旧导致财务承压，短期内财务报表依然会难看，但随着良率提升、订单到位，压力可以逐步缓解。

• 产业层面，SiC材料端，和新能源汽车整车厂应用端，目前都在打价格战，目前SiC器件市场的现状是“增量不增利”。作为转型不久的IDM，基本半导体的成本控制能力与综合良率，面对老牌大厂依然较弱，利润空间极窄，能减少亏损已属不易。

• 宏观层面，目前全球电动汽车市场渗透率为30%左右，市场整体规模，已经从爆发式增长切换到理性平稳增长，纯电车也正在面临混动汽车的竞争。且受到地缘对抗、合规成本和准入门槛抬升的影响，功率半导体市场正在面临更高的不确定性。

未来预测

• 基本半导体的功率器件+驱动芯片的技术组合，天生具有向“一站式服务商”转型的优势，但考虑到其体量、资金投入和技术路径，可能会向“细分应用场景的一站式服务商”进行转型，成为专精性的玩家，而非英飞凌那种大而全的“系统级解决方案商。

• 应用端市场的切换，证明了基本半导体正在向工业基建进行布局，未来可能会切入数据中心微电网、SST固态变压器等能源链场景，在算力的能源基建中分一杯羹。需要密切关注其是否和华为数字能源/国网系/国家大型能源工程项目进行战略合作。

参考资料：基本半导体招股说明书

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