2026年上半年，全球存储市场经历了一轮历史级别的价格上涨。无论是DRAM还是NAND闪存，合约价格在第二季度均出现了大幅跳升。然而，根据最新发布的6月内存价格追踪数据，尽管涨价仍在持续，但多项信号表明：这一轮存储涨价潮的节奏正在发生微妙变化——三季度涨幅或将显著放缓。
本文将梳理6月全球存储市场的最新价格动态，从DRAM、NAND两大品类出发，分别拆解现货价与合约价的走势差异、各细分应用领域的涨跌分化，以及长期供货协议的谈判进展，帮助读者理解当前存储市场供需格局的边际变化。
一、DRAM合约价二季度环比暴涨74%，消费类涨幅最为凶猛
6月DRAM合约价延续上涨态势。综合PC、服务器、手机和消费电子四大应用领域的加权平均数据，二季度常规DRAM合约价较一季度环比上涨约74%，较5月合约所预示的涨幅又高出约10个百分点。
分品类来看，消费类DRAM（Specialty DRAM）涨幅最为惊人，DDR3和DDR4的合约价二季度环比分别飙升约108%和105%。这主要由于三星、SK海力士等大厂已基本停止老旧制程DRAM的生产（EOL），供应缺口只能由台系厂商填补，而后者产能远远无法满足需求。手机DRAM涨幅紧随其后，约80%的季度环比涨幅背后，是手机厂商被迫接受供应商的高价要求——三星和美光均要求80%以上的涨幅，SK海力士的初步报价相对温和，在55%-60%区间。
服务器DRAM合约价二季度环比上涨约67%，其中SK海力士和美光在4月已基本完成价格谈判，三星则持续推动更高定价。PC DRAM涨幅相对较低，约49%，主要由于多数PC OEM在4月即已完成二季度价格谈判。
二、NAND价格同步走高，但晶圆涨势趋缓，移动端和SSD接棒驱动
NAND闪存价格同样延续上涨，但内部结构出现明显分化。晶圆合约价在6月仅环比微涨0.3%-3.7%，涨势大幅放缓——模组厂在当前高位价格下采购晶圆的意愿明显趋于谨慎。然而，手机NAND（eMMC/UFS）和企业级SSD的合约价依然强劲，二季度环比涨幅分别高达75%-80%和约70%，推动整体NAND综合合约价环比上涨约60%。
现货市场方面，NAND晶圆现货价在6月进一步下跌3%-4%，与合约价的价差扩大至20%-25%。虽然晶圆仅占NAND整体市场的一小部分，但现货价持续走弱仍值得关注——它往往是合约价走势的前瞻信号。不过，由于企业级SSD需求（尤其是来自AI数据中心的）持续旺盛，短期内NAND供给偏紧的格局难以根本改变。
三、服务器需求持续吸纳新增供给，消费端需求破坏远低于预期
本轮存储涨价的一个核心驱动力来自AI服务器对内存的旺盛需求。供应商持续将产能从PC、手机等其他领域调配至服务器DRAM，同时HBM4爬坡延期所释放的晶圆产能也被迅速导入服务器DRAM生产。然而，无论供应商增加了多少供给，都被服务器需求快速吸收——尤其是用于CPU服务器的低容量（<64GB）RDIMM产品。
与此同时，此前市场普遍担心的消费端“需求破坏”（即价格上涨导致终端需求萎缩）并未大规模发生。原因之一是下游客户采取了提前采购策略，在涨价预期下前置了库存备货；其二，部分低端应用出现了“降规”现象——OEM厂商通过降低内存容量或回退至DDR3等更老规格来控制成本，但这部分影响被AI相关应用（如网络交换机和服务器SSD）以及汽车电子对利基型DRAM的增量需求所抵消。
不过，手机端的压力信号已经出现。二季度全球智能手机出货量同比下滑超过10%，全年出货量预期被下调16%。手机OEM在经历连续两个季度史无前例的内存涨价后，正在调整生产计划和内存使用策略。
四、长期供货协议推进中，价格天花板初现
长期供货协议（LTA）是本轮存储周期中一个值得特别关注的结构性变化。与以往周期不同，越来越多的云服务提供商（CSP）和大型OEM客户正与存储供应商签订长期协议，以锁定供应量和价格区间。
根据最新数据，美国CSP客户的LTA谈判已基本完成。其中，美光的LTA价格上限接近其二季度合约价水平（美光倾向于更长的合同期限），而三星和SK海力士的LTA价格上限可能更高。中国CSP客户的谈判仍在进行中，预计将延续至三季度，且中国客户在供应保障和价格条款上预计将不如美国客户有利——与此同时，中国CSP也在积极寻求国内供应商的替代供应。
LTA的逐步落地将产生两方面影响：一方面，价格上限的设定意味着合约价的进一步上行空间将更多来自非LTA覆盖的交易；另一方面，随着更多LTA在2027年下半年至2028年生效，加上新增产能陆续上线，届时存储价格有望逐步从峰值回落并趋于正常化。
五、三季度涨价节奏将显著放缓，市场逐步回归常态
尽管二季度存储价格涨幅惊人，但各项前瞻指标一致指向三季度涨势将明显收敛。根据行业追踪数据，三季度DRAM综合合约价环比涨幅预计回落至13%-18%，较二季度的74%大幅收窄。其中PC DRAM预计上涨15%-20%（二季度为45%-50%），服务器DRAM预计上涨13%-18%（二季度为60%），而利基型DDR3/DDR4的涨幅也将从此前的105%+回落至28%-40%。
NAND方面降温更为明显。手机NAND（eMMC/UFS）三季度环比涨幅预计急剧收窄至5%-10%，远低于二季度的75%-80%。手机OEM在承受两轮大幅涨价后，对进一步提价的接受意愿大幅降低。晶圆合约价的上涨也已变得日益困难，模组厂持续减少晶圆采购量。
从更长的周期来看，尽管供给短缺在2027年前仍将维持，但存储价格预计将在2027年下半年至2028年逐步见顶并开始回归常态——届时更多的LTA条款将生效，新增产能也将陆续释放。
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