存储巨头扩产,拟投入93亿美元发力HBM

全球半导体观察 2026-07-06 13:55


当地时间2026年7月4日,美光科技(Micron Technology)在日本西部广岛县东广岛市的工厂举行了扩建工程的动土奠基仪式。


这项总投资达1.5万亿日元(约合93亿美元)的项目,旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片,以满足人工智能(AI)浪潮带来的旺盛需求。


据悉,该扩建工厂的核心任务是生产包括下一代高带宽存储器(HBM,如HBM4E等)在内的先进DRAM存储芯片。这类芯片是当前英伟达等科技巨头旗下AI处理器不可或缺的关键组件。


根据项目规划,美光科技预计将于2028年下半年起向该设施引入制造设备并逐步扩大生产规模,商业出货时间则定于2028年夏季前后。


为支持这一重大的半导体供应链建设项目,日本政府提供了力度空前的财政资金支持。日本经济产业省(METI)已承诺为该项目的资本成本提供最高5000亿日元的巨额补贴。


若算上此前已承诺的研发(R&D)支持资金,日本政府对美光在日运营的总资助额已达到约7750亿日元,承担了此次新项目近一半的投资成本。


美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示,“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆,就是在广岛制造的”。该厂区依托日本本地完备的半导体材料、设备供应链,是企业全球AI存储产能布局的核心支点。


广岛工厂源自2013年美光收购尔必达存储后承接的成熟制造基地,扩建完成后将专门面向全球AI芯片厂商供应新一代HBM产品,同步支撑自动驾驶、高端数据中心存储芯片量产。


本月早些时候(7月2日),韩国存储巨头SK海力士(SK hynix)也正式公布了其大规模产能扩张蓝图,宣布计划在韩国忠清北道首府清州市投资80万亿韩元(约合514.6亿美元),新建一座名为“M17”的先进NAND闪存芯片工厂,预计将于2027年破土动工、2029年上半年投产,以应对AI算力需求暴涨导致的存储芯片短缺。


此外,SK海力士还将额外投资20万亿韩元在清州建设先进封装设施。



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