产品覆盖10000+型号，杰盛微提供一站式功率器件方案

奖项

介绍

杰盛微半导体是由国家特聘专家以及留学欧美的海归博士团队创立的高科技公司，总部在西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园。

杰盛微半导体是一家专业生产霍尔磁性传感器SOC芯片、模拟驱动IC、电源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等的公司。JSMSEMI杰盛微拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，研制开发了各类磁开关系列芯片，磁速度、方向传感器芯片，线性传感器芯片，以及磁编码器芯片、包括25V~700V栅极驱动IC芯片、3300V/5000V隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。为汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等市场领域的终端客户高可靠性功率模拟IC芯片。

杰盛微半导体是业内能提供最全面的产品与解决方案的企业之一，产品种类超过50多种封装形式和10000多种型号。公司已通过ISO9001:2008质量管理体系认证。JSMSEMI产品达到SGS报告标准，SVHC和RoHS符合标准。

可信赖的汽车工业级芯片生产与解决方案供应商。

介绍

最佳产品奖一

JSM2113S

JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达750V。

JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。

JSM2113S采用宽体SOP-16-300mil封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

产品性能：

自举工作的浮动通道

· 最高工作电压可达 750 V

· 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑

· dVS/dt 耐受能力可达±50 V/nsec

· VS 负偏压能力达-9V

· 栅极驱动电范围 10 V-20V

· 宽温度范围-40~125°C

· 集成欠压锁定功能

· 周期性边缘触发关断逻辑

· 输入输出同相位

· 逻辑和电源地±5V 偏移

· 芯片开通关断延时特性

-- Ton/Toff =130ns/130ns

-- 高低侧延时匹配

· 驱动电流能力：

--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

· 高、低侧欠压锁定电路

-- 欠压锁定正向阈值 8.9V

-- 欠压锁定负向阈值 8.2V

· 符合 RoSH 标准

技术亮点与创新：

技术亮点与创新：对标IR2113，IRS21834,IRS2092，DRV8870DDAR等

价格竞争力：

替代进口 成本低，交期快

技术支持与服务：

免费申请样品（新客户专享）、提供参考设计及开发工具、资深FAE团队一对一支持

核心应用场景及标杆案例介绍：

通用逆变器 · 交流和直流电源中的半桥和全桥转换器 · 用于服务器、电信、IT 和工业基础设施的高密度 · 开关电源 · 太阳能逆变器、电机驱动器和 UPS

最佳产品奖二

JSM758

1、产品特性：

·线性度高达-0.2%~0.2%

·灵敏度测试温溧值-1%~1% ( @-40℃℃~125°C)

·零点测试温溧值-5mV~5mV(@-40°℃~125°C)

·7mA工作电流， 超低功耗电流传感

·100uΩ原边电阻，超低电源损耗

·多种量程与封装形式可选，以适应客户不同需求

·具备最快0.5uS.均值1.2us高速响应能力

2、应用范围：

①产品性能：

·线性度高达-0.2%~0.2%

·灵敏度测试温溧值-1%~1% ( @-40℃℃~125°C)

·零点测试温溧值-5mV~5mV(@-40°℃~125°C)

·7mA工作电流， 超低功耗电流传感

·100uΩ原边电阻，超低电源损耗

·多种量程与封装形式可选，以适应客户不同需求

·具备最快0.5uS.均值1.2us高速响应能力

②技术亮点与创新：

对标芯片型号：ACS758

③价格竞争力：

替代进口 成本低，交期快

④技术支持与服务：

免费申请样品（新客户专享）、提供参考设计及开发工具、资深FAE团队一对一支持

⑤核心应用场景及标杆案例介绍：

汽车OBC, DCDC, 大功率电源，电机控制等

最佳应用奖

团队成员平均从业经验8年以上，曾就职于德州仪器(TI)、意法半导体(ST)、Honeywell、霍尼韦尔、MPS等半导体公司

团队专注于磁性传感器SOC芯片、智能功率驱动芯片关键技术

研发团队全部由博士、硕士组成，核心人员获得的授权美国、中国专利超50项

研发团队专业技能涵盖芯片架构设计、工艺开发、IP设计验证、集成前后端设计、系统开发与验证等芯片解决方案的各个环节，主导过多款具有一定市场影响力的芯片的研发、流片和量产销售

年度荣誉奖

张博士于天津大学精密仪器系1989年本科毕业，1994年 硕士毕业，1997年博士毕业；

1997年至2000年，在英国牛津大学工程科学系，做博士后，从事通信和传感器的研究；

2000至2010年在Honeywell英国传感器事业部做全球研发经理，从事MEMs相关传感器研究工作，期间领导研制了一系列磁传感器，湿度传感器，压力传感器芯片和相关传感器模块的研发和量产，为公司创造了巨大的经济效益，后被评为 公司的Fellow。在英国Glasgow大学在职学习获得MBA学位；

2010年至2012年，在Tyco英国做产品研发总监，率领团队从事新型防火/火焰探测传感器的研究；

2012年至2016年8月，在德国相关公司率领团队研发汽车用传感器芯片；

2016年8月至2019年12月，中科院西安光机所，担任研究员/博士生导师，中科院特聘研究员，进行传感器的研究，并培养人才。

团队成员平均从业经验8年以上，曾就职于德州仪器(TI)、意法半导体(ST)、Honeywell、霍尼韦尔、MPS等半导体公司。

团队专注于磁性传感器SOC芯片、智能功率驱动芯片关键技术。

研发团队全部由博士、硕士组成，核心人员获得的授权美国、中国专利超50项。

研发团队专业技能涵盖芯片架构设计、工艺开发、IP设计验证、集成前后端设计、系统开发与验证等芯片解决方案的各个环节，主导过多款具有一定市场影响力的芯片的研发、流片和量产销售。

JSMSEMI产品达到SGS报告标准，SVHC和RoHS符合标准。

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介绍

“硬核芯”作为国内兼具创新力与行业影响力的芯片评选及产业赋能平台，自2019年创办以来已成功举办七届，累计汇聚超630家半导体原厂、860余款各具特色的标杆产品。

2026年，活动全面升级，首度构建“展·论·评·宣”四位一体的全新范式，旨在发现并表彰优秀中国芯企业，以“AI应用特色展区 + 产业论坛 + 硬核芯奖项 + 全链路媒体”的组合矩阵，打通“芯片设计 → 解决方案 → 终端应用”全产业链，助力中国半导体产业在AI时代实现从技术到场景的规模化落地。

“第八届硬核芯生态大会暨颁奖盛典”将于2026年9月9日-11日举办，与您相约深圳国际会展中心（宝安新馆），直击新形势下中国芯的发展风口！