月产能10万片，存储巨头计划新建DRAM晶圆厂？

在全球人工智能技术竞赛持续升温的背景下，三星电子正加速布局其存储芯片生产能力。近期有报道称，这家韩国半导体巨头计划在其位于首尔南部的器兴半导体园区新建一座DRAM晶圆厂，规划月产能高达10万片晶圆，项目总投资规模预计将达到数十万亿韩元。

作为韩国运营历史最悠久的半导体生产基地，器兴园区自1983年投产以来始终是三星电子半导体业务的重要支点。1992年，该园区更是创造了全球半导体产业发展史上的里程碑时刻——成功量产全球首个64Mb动态随机存储器（DRAM），由此奠定了三星电子在全球DRAM领域长达数十年的主导地位。近年来，这座传统园区主要承担成熟工艺节点的生产任务，其制程能力已达到8纳米水平。

值得注意的是，此次规划建设的DRAM工厂所处地块原本是为研发中心预留。将研发用地调整为生产设施，市场分析人士普遍解读为三星电子的积极部署，以应对人工智能基础设施投资热潮下高端DRAM及HBM需求的持续攀升。据悉，这一新建项目最快有望于2026年第三季度正式破土动工。

从三星电子的整体产能布局来看，器兴园区的新增产能是其宏大扩张计划的重要组成部分。目前，三星电子的DRAM生产网络主要以韩国本土为核心，形成了“平泽为龙头、华城为支撑、器兴为新增长极”的战略格局，同时配合全球产能的灵活调配。

• 在平泽巨型园区，P4工厂被定位为第六代（1c纳米）DRAM及HBM（如HBM4）的专用生产线，预计将于2026年底提前投产；P5工厂则规划为1c纳米制程DRAM与HBM的混合产线，其中部分区域还将承担NAND Flash生产任务，预计2028年投产并于2030年达到满产状态；而平泽P1至P3工厂目前作为混合产线，正逐步调整产品结构，持续扩大DRAM产能占比。

• 在华城园区，传统DRAM与NAND Flash混合产线正在进行制程升级与产能扩充。尤为值得关注的是，华城园区部分区域正进行产线转换，将原有的NAND Flash产线改造为DRAM生产线，以适应DRAM需求激增的市场态势。

• 与此同时，三星电子还在光州推进两座先进半导体晶圆厂的建设，总投资规模高达400万亿韩元。在更长远的发展规划中，三星还计划将京畿道龙仁半导体集群内首座晶圆厂的投产时间提前至2029年，该工厂将主要生产先进制程DRAM产品。

在海外布局方面，通过调整既有园区的产线结构，配合新建平泽P4、器兴等现代化工厂，三星电子正系统性地扩大其在先进制程（1c纳米）和HBM领域的生产能力，以充分把握人工智能基础设施蓬勃发展所带来的DRAM需求增长机遇。