半导体光刻设备巨头阿斯麦(ASML)发布声明表示,英特尔代工(Intel Foundry)已成功在生产环境中部署ASML的高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻技术,并正式投入大规模量产阶段。
这项光刻技术目前应用于Intel 18A工艺节点,主要用于生产部分代号为“Panther Lake”的英特尔酷睿™Ultra 3系列处理器。
ASML指出,特定的Intel 18A芯片层已在美国俄勒冈州厂区通过High NA EUV的双重认证,且目前出货给客户的产品良率已经可以与现有的NXE平台相媲美。通过在特定芯片层采用High NA EUV图形化,ASML与英特尔得以收集宝贵的数据,进一步优化系统设置、提升运行时间与实际制造导入流程,为未来全面发挥该技术潜力、扩大采用范围奠定基础。
ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示,High NA EUV具有更高的分辨率与更佳的工艺控制,标志着半导体光刻技术的重大发展。我们很荣幸能参与其中,协助实现更小、更密集的图形化技术,这将进一步加速AI与其他新兴科技的发展。
英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran则强调,这一里程碑展现了英特尔与ASML的密切合作,并证明了High NA EUV规模化整合至先进半导体制造领域的可行性。他指出,通过在精选的Intel 18A芯片层验证此工艺方案,不仅能利用现有设备为客户增加产能,也为未来节点实现顶尖性能、密度及制造弹性提供了更多选择。
回顾双方的合作历程,英特尔与ASML早在2024年便于俄勒冈州希尔斯伯勒(Hillsboro)研发中心,完成了业界首台商用High NA EUV光刻系统的整合。英特尔同时也是全球首家安装并通过第二代系统TWINSCAN EXE:5200B验收测试的企业,该系统建构于前一代的基础上,不仅配备了改良的光源,更进一步提升了吞吐量(产能)与套刻精度。
英特尔代工正式成为业界第一家使用High NA EUV技术出货大规模量产逻辑产品的企业。未来,英特尔与ASML将持续针对High NA EUV的量产准备保持紧密合作,并将根据客户需求,弹性地将该技术导入未来的先进工艺节点。(文章来源:科技新报)
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