蔡司CEO：EUV光刻机对中国至关重要，多重曝光方法不可行

一个颇为引人关注的话题是，在美国出口管制措施的限制下，中国如何应对芯片制造业务的困境。这些管制措施使得中国无法从荷兰制造商ASML获得尖端的EUV光刻设备。

这一巨大的障碍迫使中国最大的半导体代工厂转而使用DUV光刻设备进行多重曝光技术。但德国蔡司公司首席执行官弗兰克·罗蒙德表示，从商业角度来看，这无助于推动该地区的发展。

蔡司首席执行官表示，中国先进制程节点在商业化阶段仍将维持在7纳米；5纳米制程虽然可行，但复杂度要高得多。

各国政府制定的严格规定阻止了蔡司和阿斯麦等公司向中国出口极紫外光刻设备，这将阻碍中国未来的发展。随着台积电加速推进2纳米制程的生产，罗蒙德认为中国的制造能力将仅限于7纳米制程，但中国仍然保留着一线希望。

罗蒙德指出，即使没有极紫外光刻技术，中国也可以利用深紫外光刻技术，通过多重曝光工艺制造出5纳米级芯片，但其显而易见的缺点是制造工艺复杂、良率低、成本高。蔡司首席执行官则表示，只有政府出手提供大量补贴支持这些项目，这种方法才切实可行。

除了这种选择之外，中国的商业崛起将受到限制，因此，EUV光刻是保持全球竞争力的唯一更健康的选择。以某芯片为例，该芯片采用中芯国际的7nm N+3工艺制造，其金属间距比英特尔的18A工艺更小，并且与台积电采用EUV光刻工艺制造的N6芯片展开竞争。

即便如此，该芯片在性能和功耗方面仍然捉襟见肘，苹果的低功耗核心性能远超其主核心，而功耗却仅为1瓦。尽管国内领先的手机芯片公司声称其LogicFolding封装技术 有望在2031年实现1.4纳米级芯片，但该公司仍将再次受到复杂制造工艺、低良率和成本增加的限制。

早前有报道称，中国将于2025年开始试生产 自主研发的极紫外光刻机，但此后并未有任何后续消息，这些说法最终不了了之。我们认为，除非中国找到绕过美国出口管制的方法，否则随着中国无法获得极紫外光刻机，其竞争力差距将逐渐扩大。